BUK9M14-40EX 时间：2025/9/14 21:26:39 阅读：10

BUK9M14-40EX是一款由NXP Semiconductors制造的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电流、高频开关应用，适用于各种电源管理和功率电子系统。该MOSFET采用了先进的技术，以确保在高效率和高可靠性方面的卓越性能。BUK9M14-40EX封装为LFPAK56（也称为Power-SO8），这种封装形式提供了优越的热管理和电气性能，同时简化了PCB布局。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大漏极电流（Id）：140A（在25°C下）
　　导通电阻（Rds(on)）：2.7mΩ（最大值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：73nC（典型值）
　　功率耗散（Ptot）：160W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：LFPAK56（Power-SO8）

特性

BUK9M14-40EX的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提高系统效率。此外，该MOSFET具有高电流承载能力和出色的热性能，使其非常适合用于高功率密度设计。LFPAK56封装不仅提供了优良的热管理，还具备较高的机械稳定性和抗热疲劳能力，从而延长器件的使用寿命。
　　该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。此外，BUK9M14-40EX具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供可靠的保护。器件的封装设计也支持双面散热，进一步提高了散热效率。
　　由于其高可靠性和优异的电气性能，BUK9M14-40EX被广泛用于各种高性能电源系统中，包括DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统和工业自动化设备。

应用

BUK9M14-40EX适用于需要高效能、高电流开关能力的各种应用场合。常见的应用包括汽车电子系统、服务器电源、工业电机控制、电源供应器以及高性能DC-DC转换器。由于其低导通电阻和优良的热管理特性，该MOSFET特别适合用于需要高效率和高功率密度的系统设计中。
　　在汽车应用中，BUK9M14-40EX可用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统（EPS）。在工业领域，该器件可应用于自动化控制设备、变频器和不间断电源（UPS）。此外，该MOSFET还可用于高功率LED照明系统和储能系统。