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SI9424ADY-T1-E3 发布时间 时间:2025/5/30 14:20:28 查看 阅读:9

SI9424ADY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装(TO-252),具有低导通电阻和快速开关特性,适用于需要高效能的电源管理、电机驱动以及其他开关应用。这种 MOSFET 常用于降压转换器、负载开关、DC-DC 转换器以及电池供电设备中。
  其设计允许在低电压条件下实现高效的开关操作,并且能够承受较高的电流负载。由于其低导通电阻 (Rds(on)) 的特点,使得该器件在功率转换过程中损耗较低,从而提高了整体系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:32A
  导通电阻 (Rds(on)):5.5mΩ
  栅极电荷:38nC
  总电容 (Ciss):1750pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:DPAK (TO-252)

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),确保高效率和低功耗。
  2. 快速开关速度,支持高频操作。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的坚固性和可靠性。
  4. 采用无铅 (Pb-Free) 封装,符合 RoHS 标准。
  5. 支持宽范围的工作温度,适合多种环境下的应用。
  6. 优化的栅极驱动设计,简化了电路设计并减少了外围元件数量。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关。
  3. 电池保护和负载切换。
  4. 电机控制和驱动。
  5. 工业自动化设备中的功率管理。
  6. 便携式电子设备中的高效开关解决方案。

替代型号

SI9422DY, SIH55N06ND, IRLZ44N

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