FDS4141-NL是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率管理、开关电源、电机驱动以及负载开关等领域。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
它采用小尺寸封装,有助于减少PCB空间占用,同时提供出色的热性能表现。FDS4141-NL适合在中低电压应用场合下作为高性能功率开关使用。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源极电压(Vds):30V
最大栅源极电压(Vgs):±12V
持续漏极电流(Id):5.9A
导通电阻(Rds(on)):60mΩ(典型值,当Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):780mW(Tc=25°C时)
栅极电荷(Qg):9nC(典型值)
工作结温范围(Tj):-55°C至+150°C
1. 极低的导通电阻Rds(on),有效降低传导损耗并提升系统效率。
2. 快速开关能力,支持高频应用,从而减小无源元件体积。
3. 高浪涌能力,确保在极端条件下具备良好的可靠性。
4. 小型化的SOT-23封装,节省PCB空间,同时具备优异的散热性能。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
6. 稳定的电气特性,适用于各种复杂环境下的功率控制场景。
1. 开关电源中的同步整流器和DC-DC转换器开关。
2. 电池供电设备中的负载开关和保护电路。
3. 消费类电子产品的过流保护和短路保护功能实现。
4. 小型电机驱动和LED驱动电路中的功率开关元件。
5. 通信设备和工业控制系统中的功率管理模块。
6. 各种便携式设备中的高效功率传输解决方案。
FDS4950, SI2304DS, BSS138