时间：2025/9/14 11:56:14
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BUK9J0R9-40HX是一款由Nexperia（安世半导体）制造的高性能功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的Trench肖特基技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于高效率电源转换和功率管理应用。该MOSFET采用小型化封装，便于在紧凑的PCB布局中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：40V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：160A
导通电阻(RDS(on))：0.95mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerSO-10
BUK9J0R9-40HX的主要特性之一是其非常低的导通电阻，使其在高电流条件下能够实现较低的功率损耗。此外，该MOSFET具有高电流承载能力和优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。其快速开关特性使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制。
该器件采用Nexperia的先进Trench肖特基技术，提高了器件的开关速度并降低了开关损耗。此外，其宽泛的工作温度范围允许在极端环境条件下可靠运行。其PowerSO-10封装不仅提供良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
在可靠性方面，BUK9J0R9-40HX符合AEC-Q100汽车级认证，适用于汽车电子系统中的关键功率管理任务。其强大的短路耐受能力和过温保护特性进一步增强了系统稳定性。
BUK9J0R9-40HX广泛应用于多个高功率电子系统中，包括但不限于汽车电子、工业电源、DC-DC转换器、电池管理系统和电机控制电路。在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电系统、电动助力转向系统和车身控制模块，提供高效、稳定的功率开关功能。
在工业应用中，BUK9J0R9-40HX适用于大电流负载开关、高效率电源供应器和伺服电机控制电路。其低导通电阻和高电流能力使其成为高功率密度设计的理想选择。
此外，在新能源系统中，如太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET可作为关键的功率开关元件，实现高效的能量转换。在电动工具和无人机等消费电子应用中，该器件也能提供可靠的高功率输出。
SiR142DP-T1-GE3, IPB013N04LC G, FDS4410B
