时间：2025/9/11 9:16:56
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KTD1961是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高效率开关电源、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用中。该器件采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低导通损耗并提高系统效率。KTD1961通常封装在TO-252（DPAK）或TO-220等常见功率封装中，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：95A（@25℃）
导通电阻（Rds(on)）：3.8mΩ（@Vgs=10V）
功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
封装类型：TO-252（DPAK）或TO-220
KTD1961的核心特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其高电流承载能力（高达95A）使其适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET支持高达±20V的栅极电压，提供了较好的栅极驱动灵活性，并增强了抗噪声干扰能力。
该器件采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，优化了开关性能，降低了开关损耗，适合高频开关应用。同时，KTD1961具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作，适合工业级和汽车电子应用。其封装设计（如TO-252或TO-220）有利于散热管理，便于PCB布局和焊接。
KTD1961广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及负载开关电路。在汽车电子领域，它可用于车载充电器、电动工具和启停系统等高可靠性场景。
此外，由于其高效率和低导通电阻的特性，KTD1961也常用于服务器电源、工业自动化设备和通信设备中的功率转换模块。其优异的热性能和高电流能力使其成为需要高效能和紧凑设计的电源解决方案的理想选择。
Si9410BDY-T1-GE3, IRF1405, FDP6675, IPB096N06N3GKSA1
