类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：900V
　　漏极电流(ID)：9A
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

2SK368-O具备一系列优良的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高达900V的漏源电压能力使其非常适合用于高压电路中，如开关电源、逆变器和电机驱动器等。该器件的漏极电流为9A，可以在较高的负载条件下保持稳定的性能。
　　其次，2SK368-O具有较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。此外，该MOSFET的开关速度快，能够在高频条件下运行，进一步提升系统的响应速度和稳定性。
　　该器件还具有良好的热管理能力，采用TO-220封装形式，能够有效散热并保持较低的工作温度。这种封装形式也便于安装在散热器上，以进一步提高热性能。2SK368-O的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛的环境条件，确保其在极端温度下的可靠运行。
　　另外，2SK368-O的栅源电压范围为±30V，提供了较高的驱动灵活性，并能够在不同的栅极驱动条件下保持稳定的操作。这使得该器件能够与多种控制电路兼容，简化了电路设计和集成过程。

2SK368-O广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其是在需要高电压和高电流处理能力的场合。其主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制电路、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。在开关电源中，2SK368-O可以作为主开关元件，负责将输入的直流电压转换为高频交流信号，随后通过变压器进行电压调整，最后再整流为所需的直流输出电压。由于其高效率和快速开关特性，该器件能够显著提高电源的转换效率并减少能量损耗。
　　在电机控制领域，2SK368-O可用于H桥电路或PWM控制中，以实现对电机速度和方向的精确控制。其高电流能力和良好的导通特性使得电机在不同负载条件下都能保持稳定的运行性能。此外，该MOSFET还常用于逆变器系统中，特别是在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）中，用于将直流电转换为交流电以供负载使用。
　　除了上述应用之外，2SK368-O还可用于各种高电压隔离电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统中的功率开关元件。

2SK1530, 2SK2141-O