CST1770H-3R3M 是一种高性能的陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术制造。这种电容器具有低ESL(等效串联电感)和低ESR(等价串联电阻),适合用于高频电路中的电源滤波、耦合和去耦应用。其高可靠性和稳定性使其广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
该型号属于X7R介质类型,具有良好的温度稳定性和容量变化特性,在-55°C至+125°C的工作温度范围内,容量变化不超过±15%。
型号:CST1770H-3R3M
容量:3.3nF
额定电压:50V
尺寸:1812英寸 (约4.5mm x 3.2mm)
介质材料:X7R
工作温度范围:-55°C ~ +125°C
封装类型:多层片式
公差:±10%
CST1770H-3R3M 具有以下显著特性:
1. 高频性能优越,适合高频电路应用;
2. 温度稳定性好,能够在宽温范围内保持稳定的电容值;
3. 低ESR和低ESL设计,能够有效减少高频信号下的能量损耗;
4. 小型化设计,便于在紧凑型电路板上进行布局;
5. 符合RoHS标准,环保且无铅;
6. 可靠性高,适用于各种严苛环境下的电子设备。
CST1770H-3R3M 广泛应用于以下领域:
1. 高速数字电路中的电源滤波;
2. RF射频电路中的耦合与旁路;
3. 工业控制设备中的去耦;
4. 消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑;
5. 通信设备,例如路由器、基站和其他无线通信模块;
6. 汽车电子系统中的滤波和信号处理。
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