时间：2025/4/30 17:48:46
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PHE450MB5330JR17T0 是一款高性能的功率 MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在确保低导通电阻的同时，还优化了开关性能，从而适用于高效能要求的电力转换系统。
其封装形式为 TO-263（D2PAK），能够提供良好的散热性能和电气特性，适合用于工业、通信以及消费类电子领域。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：45A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：85nC
总电容：1550pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗。
2. 优化的栅极电荷设计，提升开关速度并减少开关损耗。
3. 高电流承载能力，支持大功率应用。
4. 具备快速恢复二极管功能，进一步增强效率表现。
5. 封装兼容性强，便于集成到现有电路板设计中。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
1. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率控制模块。
3. 电源管理解决方案中的核心组件。
4. 太阳能逆变器以及其他高效率能源转换设备。
5. 各种需要高频开关操作的工业级与消费级电子产品。
PHE450MB5330JN17T0, PHE450MB5330JP17T0
