时间：2025/6/21 0:37:32
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TEVB20R0V24B1X 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TOLL 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高效能的功率转换应用。其典型应用场景包括 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等。
该器件通过优化的沟槽技术实现了较低的 Rds(on)，从而提高了效率并降低了功耗。同时，其出色的热性能设计有助于简化散热管理。
型号：TEVB20R0V24B1X
封装：TOLL
Vds（漏源极电压）：24V
Rds(on)（导通电阻）：2.0mΩ
Id（连续漏极电流）：150A
Vgs(th)（阈值电压）：1.8V
输入电荷：37nC
最大工作结温：175°C
栅极电荷：26nC
TEVB20R0V24B1X 的主要特性如下：
1. 极低的导通电阻（2.0mΩ），确保了在高电流下的高效运行。
2. 高额定电流能力（150A），使其非常适合大功率应用。
3. 高速开关能力，能够满足高频操作需求。
4. 紧凑的 TOLL 封装设计，具备良好的散热性能。
5. 工作温度范围宽广（最高可达 175°C），适用于恶劣环境条件。
6. 较低的栅极电荷和输入电荷，减少了开关损耗。
7. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
TEVB20R0V24B1X 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路，如电动车窗、座椅调节和风扇控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理。
5. 高效 LED 驱动器解决方案。
6. 通信基础设施中的电源模块。
TEVB20R0V24B1H
