型号：CPH5802
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：4.1A
　　脉冲漏极电流（IDM）：16.4A
　　最大功耗（PD）@25°C：1.4W
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：18mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=2.5V：24mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）@ID=250μA：典型值0.75V，范围0.5V~1.0V
　　输入电容（Ciss）@VDS=10V：330pF
　　输出电容（Coss）@VDS=10V：100pF
　　反向传输电容（Crss）@VDS=10V：45pF
　　栅极电荷（Qg）@VGS=4.5V, ID=4.1A：8.5nC
　　上升时间（tr）@ID=4.1A, VDD=10V：15ns
　　下降时间（tf）：10ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN2020
　　引脚数：6
　　符合RoHS标准：是
　　符合AEC-Q101：是

CPH5802采用先进的TrenchFET技术，使得其在低电压应用中表现出卓越的性能。其核心优势之一是极低的导通电阻，RDS(on)在VGS=4.5V时仅为18mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体效率。对于电池供电设备而言，这意味着更长的工作时间和更高的能源利用率。此外，该器件在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好性能，例如在VGS=2.5V时，RDS(on)仅为24mΩ，支持低压逻辑信号直接驱动，兼容3.3V或更低的微控制器输出，无需额外电平转换电路，简化了系统设计。
　　该MOSFET具备出色的动态特性，包括低栅极电荷（Qg=8.5nC）和低输入/输出电容，使其非常适合高频开关应用，如同步整流和DC-DC降压变换器。快速的开关响应时间（tr=15ns，tf=10ns）减少了开关过程中的交越损耗，进一步提高了电源转换效率。同时，其较小的反向传输电容（Crss）有助于降低噪声耦合，提高系统EMI性能。
　　在可靠性方面，CPH5802通过了AEC-Q101车规级认证，表明其在极端温度、湿度和机械应力条件下仍能稳定工作，适用于汽车电子中的负载开关、LED驱动和车身控制模块等严苛环境。器件的工作结温最高可达+150°C，具备良好的热稳定性，并可通过PCB散热焊盘有效导出热量。DFN2020封装无铅且体积小巧，有利于实现高密度贴装，同时提供足够的电气隔离和机械强度。综合来看，CPH5802在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效能、小体积电源系统中的理想选择。

CPH5802因其低导通电阻、小封装尺寸和高可靠性，被广泛应用于多种电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，常用于电池电源路径管理、负载开关和充电控制电路，能够有效降低待机功耗并延长续航时间。在DC-DC转换器中，尤其是同步降压拓扑结构中，CPH5802作为低边开关使用，凭借其快速开关特性和低导通损耗，显著提升了转换效率，适用于POL（Point-of-Load）电源模块和多相供电系统。
　　在工业控制领域，该器件可用于电机驱动、继电器替代和数字I/O扩展电路，实现高速、低功耗的开关控制。其支持逻辑电平驱动的特性使其能够直接与微控制器或FPGA连接，简化外围电路设计。在汽车电子应用中，CPH5802可用于车身电子系统，如车窗升降器、座椅调节、灯光控制和传感器供电模块。得益于AEC-Q101认证，其在高温、振动和电磁干扰环境下仍能稳定运行，满足车载应用的严苛要求。
　　此外，CPH5802也适用于USB电源开关、热插拔控制器和电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。在这些应用中，器件需要频繁开启和关闭，而CPH5802的低栅极电荷和快速响应能力可以减少开关损耗，防止过热。其DFN2020封装便于自动化贴片生产，适合大规模制造，同时节省PCB空间，提升产品集成度。总之，CPH5802是一款通用性强、适应面广的低压N沟道MOSFET，适用于各类需要高效、紧凑功率开关的电子系统。

SI2302DDS-T1-E3
　　AO2401
　　FDMC86283S