时间：2025/5/24 14:39:37
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NTMFS4833NT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关等应用领域。
NTMFS4833NT1G 的封装形式为 TO-263-3 (D2PAK)，这种封装具备良好的散热性能和易于安装的特点。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：35A
导通电阻（典型值）：3.7mΩ
栅极电荷：47nC
开关时间：ton=9ns, toff=15ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
NTMFS4833NT1G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 快速开关性能，使得其适用于高频开关应用，同时减少开关损耗。
3. 高雪崩能力，能够承受一定的过载条件而不损坏。
4. 符合 AEC-Q101 标准，保证了在汽车电子应用中的可靠性。
5. 支持较高的工作温度范围，适用于严苛的工作环境。
该 MOSFET 广泛应用于多种场景：
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 汽车电子系统中的负载开关或保护电路。
4. DC-DC 转换器中作为高效功率开关元件。
5. 工业控制设备中的功率转换模块。
NTMFS4833NTPB
