时间：2025/9/14 20:01:15
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BUK7M33-60EX 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效能电源管理应用而设计，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于汽车电子、工业电源和 DC-DC 转换器等领域。BUK7M33-60EX 采用先进的 TrenchFET 技术制造，确保了在高电流负载下依然具备出色的导通性能和较低的功耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：180A（在Tc=25°C时）
导通电阻(Rds(on))：3.3mΩ（最大值，典型值为2.5mΩ）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
功率耗散(Pd)：200W
输入电容(Ciss)：约4000pF
开关时间：导通时间约10ns，关断时间约20ns
BUK7M33-60EX 具备一系列出色的电气和热性能，使其在各种功率应用中表现出色。首先，该器件具有极低的导通电阻（Rds(on)），在180A连续漏极电流下，导通损耗极低，从而提高了整体系统效率。其导通电阻的最大值为3.3mΩ，典型值甚至低至2.5mΩ，这在高功率应用中尤为关键，因为它可以显著减少热量的产生。
其次，BUK7M33-60EX 采用先进的 TrenchFET 技术，这种技术不仅提升了器件的电流处理能力，还优化了开关速度，使其在高频开关应用中表现出色。同时，该器件的封装形式为 TO-263（D2PAK），具有良好的热管理能力，能够有效散热，从而保证器件在高负载条件下的稳定运行。
此外，该 MOSFET 的工作温度范围非常宽，从 -55°C 到 +175°C，适用于严苛的工业和汽车环境。栅源电压可承受 ±20V，确保在高噪声环境中仍能安全工作。它的开关时间也非常短，导通时间约为10ns，关断时间约为20ns，这使其适用于高频 DC-DC 转换器和电机控制应用。
总的来说，BUK7M33-60EX 是一款高可靠性的功率 MOSFET，具备高性能、低损耗和高稳定性的特点，适用于多种高功率和高频率的应用场景。
BUK7M33-60EX 广泛应用于需要高效功率转换和管理的场合。首先，在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及 DC-DC 转换器等。由于其宽工作温度范围和高可靠性，非常适合汽车环境中的严苛条件。
其次，在工业应用中，BUK7M33-60EX 可用于电源供应器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及高功率 LED 照明系统。其低导通电阻和优异的热管理能力使其在高负载条件下依然能够保持稳定运行。
此外，该器件也广泛用于电信和服务器电源系统，特别是在高效率和高密度电源转换应用中。其快速开关能力和低损耗特性有助于提升系统整体能效，并减少散热需求，从而降低整体系统成本。
最后，在消费类电子产品中，如高性能计算设备、笔记本电源适配器和便携式储能设备中，BUK7M33-60EX 也因其高效能和小型化封装而受到青睐。
IRF1404Z、SiR178DP、STP150N6F6、IPB04N06N3、TPH9R00CQH
