时间：2025/8/22 2:58:22
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Si8261AAC-C-IPR是一款由Silicon Labs公司生产的高性能隔离式栅极驱动器芯片，专为驱动功率MOSFET和IGBT等功率器件而设计。该芯片采用Silicon Labs的专利数字隔离技术，提供了高隔离电压和出色的抗噪能力，适用于各种工业、汽车和能源管理应用。Si8261AAC-C-IPR采用紧凑型8引脚IC封装，具有宽工作温度范围（-40°C至+125°C），适合在恶劣环境中使用。
类型：隔离式栅极驱动器
输入类型：数字信号输入
输出类型：高频推挽输出
供电电压范围：2.5V至5.5V（VDD1），12V至30V（VDD2）
最大输出电流：4.0A（峰值）
隔离耐压：5kVrms（符合UL、CSA等标准）
工作温度范围：-40°C至+125°C
封装类型：8引脚IC（符合RoHS标准）
传播延迟：典型值80ns
共模瞬态抗扰度（CMTI）：大于100kV/μs
Si8261AAC-C-IPR采用Silicon Labs的数字隔离技术，提供了优异的电气隔离性能和抗干扰能力。其高集成度设计减少了外部元件数量，简化了电路布局，提高了系统可靠性。该芯片具有宽输入电压范围，支持多种电源架构，并具备过温保护、欠压锁定等安全功能，确保在各种工作条件下稳定运行。
此外，Si8261AAC-C-IPR具有低传播延迟和快速上升/下降时间，适用于高频开关应用，如电机控制、逆变器、DC-DC转换器等。其高输出驱动能力可以有效驱动大功率MOSFET和IGBT，降低开关损耗，提高系统效率。
芯片内部的隔离层可有效防止高压侧与低压侧之间的电气干扰，保障系统安全和操作人员的安全。同时，该器件符合RoHS标准，支持环保应用。
Si8261AAC-C-IPR广泛应用于工业自动化、电机控制、太阳能逆变器、电动车充电系统、UPS不间断电源、储能系统等需要高压隔离和高驱动能力的场合。它适用于驱动功率MOSFET和IGBT，特别适合用于高电压、高频率的开关电路中。
UCC21520, ADuM4223, NCV51530, IR2214
