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RSS125N03TB 发布时间 时间:2025/6/22 14:43:22 查看 阅读:4

RSS125N03TB是一款N沟道功率MOSFET,专为高效率、高性能的应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场合。
  该器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等场景,能够有效降低功耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:125A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  总栅极电荷:76nC
  输入电容:1420pF
  开关时间:ton=11ns, toff=19ns

特性

RSS125N03TB具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升整体系统效率。
  2. 快速开关性能,支持高频操作,适合现代高效能电力电子设备。
  3. 高额定电流能力,确保在大电流应用中的稳定性和可靠性。
  4. 紧凑型封装设计,便于布局和散热管理。
  5. 提供卓越的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持一致的性能。

应用

RSS125N03TB广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器,包括降压、升压和反激式拓扑。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

RSS100N03L, IRF3710

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RSS125N03TB参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.9 毫欧 @ 12.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs28nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1670pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称RSS125N03TB-NDRSS125N03TBTR