RSS125N03TB是一款N沟道功率MOSFET,专为高效率、高性能的应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场合。
该器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等场景,能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:125A
导通电阻(典型值):2.5mΩ
总栅极电荷:76nC
输入电容:1420pF
开关时间:ton=11ns, toff=19ns
RSS125N03TB具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升整体系统效率。
2. 快速开关性能,支持高频操作,适合现代高效能电力电子设备。
3. 高额定电流能力,确保在大电流应用中的稳定性和可靠性。
4. 紧凑型封装设计,便于布局和散热管理。
5. 提供卓越的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持一致的性能。
RSS125N03TB广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
2. DC-DC转换器,包括降压、升压和反激式拓扑。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
RSS100N03L, IRF3710