CS4N65FA9R是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及各种功率管理电路中。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。其封装形式为TO-252,适合表面贴装应用,同时具备出色的散热性能。
型号:CS4N65FA9R
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):65V
最大栅极源极电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):4.1A
导通电阻(Rds(on)):130mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总栅极电荷(Qg):13nC
输入电容(Ciss):1150pF
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-252
CS4N65FA9R的主要特点是其低导通电阻和高开关速度。低导通电阻有助于减少传导损耗,从而提高系统的整体效率。此外,该器件具有较小的栅极电荷,这意味着在高频开关应用中可以实现更快的切换速度,同时减少开关损耗。
该器件还具备优秀的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现。由于其采用表面贴装封装,CS4N65FA9R非常适合用于需要紧凑设计的应用场景,同时便于自动化生产和组装。
CS4N65FA9R适用于多种电子设备中的功率管理模块,包括但不限于笔记本电脑适配器、LED驱动器、工业控制设备等。其可靠的性能和高效的功率转换能力使其成为众多工程师在设计高效功率系统时的理想选择。
CS4N65FA9R广泛应用于各类需要高效功率转换和管理的领域,例如:
- 开关电源(Switching Power Supplies)
- DC-DC转换器(DC-DC Converters)
- 电池充电管理系统(Battery Charging Management Systems)
- LED驱动电路(LED Drivers)
- 工业控制与自动化设备(Industrial Control and Automation Equipment)
- 消费类电子产品(Consumer Electronics)
CSA4N65FA9R
IRF540N
FDP5580
AON7711