BSP372NH6327是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频、高效率开关应用而设计。该器件采用先进的GaN工艺制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种电源转换场景,如DC-DC转换器、AC-DC适配器和无线充电设备等。其封装形式紧凑,能够有效减少整体系统尺寸并提高功率密度。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:12A
导通电阻:28mΩ
栅极电荷:95nC
反向恢复时间:20ns
工作结温范围:-55℃至150℃
BSP372NH6327具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低传导损耗。
2. 高速开关性能,支持高达数MHz的工作频率。
3. 内置保护功能,包括过热关断和短路保护。
4. 紧凑的表面贴装封装形式,便于自动化生产和小型化设计。
5. 支持硬开关和软开关拓扑,灵活性强。
6. 良好的散热性能,适合高功率密度应用。
这款晶体管广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的PFC(功率因数校正)级和主开关级。
2. 快速充电器和USB-PD适配器。
3. 数据中心和通信设备的高效电源模块。
4. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
5. 光伏逆变器和其他新能源相关设备。
6. 工业自动化设备中的高频开关电路。
BSC016N06NS, BSP270NH6507