时间：2025/5/30 14:14:31
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NTD5806NT4G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特性，同时支持表面贴装封装 (TO-252)，适合高密度电路设计。
NTD5806NT4G 的额定电压为 30V，具有快速开关速度和出色的热性能，是许多功率转换应用的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：17A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：9nC
输入电容：1090pF
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：TO-252
NTD5806NT4G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，适用于高频开关应用。
3. 高电流承载能力，支持大功率应用。
4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
5. 小型表面贴装封装，节省 PCB 空间。
6. 支持宽温度范围操作，适应各种环境条件。
NTD5806NT4G 可用于以下应用场景：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各类电机驱动，包括步进电机和无刷直流电机。
3. 负载开关和保护电路。
4. 工业控制和自动化设备中的功率管理。
5. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用。
NTD5806N
IRLZ44N
FDP16N30
AON7710
