时间：2025/11/12 19:28:40
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CL21B224KAFNNNG 是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于X7R电介质系列，具有较高的稳定性和可靠性，广泛应用于各类电子设备中。这款电容器采用标准的0805封装尺寸（公制2012），适合表面贴装技术（SMT），在现代高密度PCB设计中具有良好的适应性。其标称电容值为0.22μF（220nF），额定电压为50V DC，适用于需要中等电压和稳定电容性能的去耦、滤波和旁路应用。由于采用了B材质（X7R特性），该电容器在-55°C至+125°C的温度范围内，电容变化率不超过±15%，表现出良好的温度稳定性。此外，CL21B224KAFNNNG采用无铅端子结构，符合RoHS环保要求，适用于工业级和消费类电子产品。其型号编码遵循三星的标准命名规则：CL代表多层陶瓷电容，21表示尺寸代码（对应0805），B表示X7R电介质，224表示电容值（22×10^4 pF = 0.22μF），K表示电容公差为±10%，A表示额定电压代码（50V），F表示端子类型，NNN表示无卤素、无铅产品。
电容值：0.22μF
容差：±10%
额定电压：50V DC
电介质类型：X7R
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度特性：±15%
封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
安装方式：表面贴装（SMD）
端子类型：镍/锡（Ni/Sn）
是否无铅：是
是否符合RoHS：是
是否无卤素：是
CL21B224KAFNNNG作为一款高性能多层陶瓷电容器，具备出色的电气与机械稳定性。其采用X7R型电介质材料，确保在宽温范围内（-55°C至+125°C）电容值的变化控制在±15%以内，这使其非常适合用于对温度稳定性有要求的应用场景，如电源去耦、信号耦合与滤波电路中。相较于Y5V等其他电介质类型，X7R在温度和电压变化下的电容保持率更高，虽然其介电常数低于高K材料（如Z5U或Y5V），但换来了更可靠的性能表现。该器件的0.22μF电容值在50V额定电压下实现了良好的体积与容量平衡，特别适用于DC-DC转换器输出滤波、运算放大器偏置电路以及微控制器电源引脚的去耦设计。
该电容器采用CL21尺寸代码，即标准的0805英制封装（2.0mm × 1.25mm），是目前应用最广泛的片式电容尺寸之一，兼容绝大多数自动化贴片设备，焊接工艺成熟，良率高。其内部结构由多个陶瓷介质层与内电极交替堆叠而成，形成一个高可靠性的平行板电容结构，有效降低ESL（等效串联电感）并提升高频响应能力。同时，该器件具有较低的等效串联电阻（ESR），有助于减少纹波电压和功率损耗，提高系统效率。
CL21B224KAFNNNG采用镍/锡（Ni/Sn）无铅端子电极，符合国际RoHS指令和无卤素要求，满足现代电子产品环保法规。其制造过程严格遵循AEC-Q200等可靠性标准，具备良好的抗热冲击、耐湿性和机械强度，可在回流焊过程中承受多次高温循环而不损坏。此外，该型号为卷带包装，便于SMT生产线自动取料，提升了生产效率。总体而言，该器件在性能、尺寸、环保和可靠性方面达到了良好平衡，是工业控制、通信模块、消费电子和汽车电子中的理想选择。
CL21B224KAFNNNG广泛应用于多种电子领域。常见用途包括电源管理电路中的输入输出滤波电容，特别是在DC-DC降压或升压转换器中，用于平滑输出电压、抑制开关噪声。在模拟电路中，它可用于运算放大器的耦合与去耦，防止低频振荡并提升信噪比。在数字系统中，该电容常被布置在微处理器、FPGA或ASIC的电源引脚附近，作为局部储能元件，吸收瞬态电流波动，维持供电稳定。此外，在音频设备、传感器接口、工业PLC模块以及网络通信设备中，该器件也常用于信号路径的交流耦合与噪声旁路。得益于其50V额定电压和良好的温度特性，该电容也可用于汽车电子中的非引擎舱控制系统，如车载信息娱乐系统或车身控制模块。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居设备中，由于其小型化和高可靠性，也被大量采用。
GRM21BR71H224KA01L
C2012X7R1H224K
CC0805KRX7R9U224
EMK212BJ224KG-L
