时间：2025/5/28 10:30:39
阅读：3
SI7288DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，旨在提供低导通电阻和高效率的性能。它适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及其他功率管理应用。由于其出色的电气特性，这款 MOSFET 在消费电子、工业设备以及通信系统中得到了广泛应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：44A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
栅极电荷：39nC（典型值）
输入电容：1390pF（典型值）
总功耗：17W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263 (DPAK)
SI7288DP-T1-GE3 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可显著降低传导损耗。
2. 采用 TrenchFET Gen III 技术，优化了开关性能并提高了效率。
3. 高电流承载能力，支持高达 44A 的连续漏极电流。
4. 小巧的 TO-263 封装，适合空间受限的应用。
5. 宽工作温度范围，能够在极端条件下可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
7. 稳定的电气性能和可靠性，适用于严苛的工业环境。
SI7288DP-T1-GE3 广泛应用于多种功率转换和控制场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 各类负载开关，用于动态管理电路中的电流流动。
3. 电机驱动器，支持高效控制电机的速度和方向。
4. 电池管理系统（BMS），实现精确的充放电保护。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
6. 通信基础设施中的功率分配与转换组件。
7. 消费类电子产品中的快速充电解决方案。
SI7449DP, SI7844DP, IRF7844
