MPC1730 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高功率应用而设计,具有低导通电阻和优异的热性能,适用于工业控制、电源管理、汽车电子等领域。MPC1730 采用 TO-220 封装形式,具备良好的散热能力,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):0.27Ω
栅极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-220
功率耗散(Ptot):40W
MPC1730 具有多个显著的电气和物理特性,使其在功率电子应用中表现出色。
首先,该器件的最大漏源电压为 100V,最大漏极电流为 10A,使其适用于中高功率的开关应用,例如 DC-DC 转换器、电机控制和电源管理系统。其低导通电阻(Rds(on))为 0.27Ω,有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。
其次,MPC1730 的栅极电压范围为 ±20V,允许使用标准的 10V 或 12V 驱动电压进行控制,兼容常见的 MOSFET 驱动电路。此外,该器件具有良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定工作,最大工作温度可达 175°C,适用于严苛的工业和汽车应用环境。
最后,MPC1730 采用 TO-220 封装,具有良好的散热性能,便于安装在散热片上,适用于需要高功率耗散的应用场景。其功率耗散能力为 40W,确保在高负载条件下仍能稳定运行。
MPC1730 广泛应用于多种高功率和高可靠性要求的电子系统中。
在工业控制领域,该器件可用于开关电源(SMPS)、电机驱动和继电器替代方案,提供高效的功率开关功能。由于其低导通电阻和良好的热性能,适用于需要长时间运行的工业设备。
在汽车电子方面,MPC1730 可用于车载电源管理系统、电动车窗控制、灯光控制模块等,满足汽车环境对高可靠性和宽温度范围的要求。
此外,该 MOSFET 还适用于电池管理系统(BMS)、逆变器、DC-DC 转换器以及各种功率放大器电路,广泛用于消费类电子、工业自动化和通信设备中。
IRF540N, FQP10N10L, STP10NK60Z, FDPF10N10L