MPC1730 时间：2025/9/4 2:31:46 阅读：23

MPC1730 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率应用而设计，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于工业控制、电源管理、汽车电子等领域。MPC1730 采用 TO-220 封装形式，具备良好的散热能力，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.27Ω
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（Ptot）：40W

特性

MPC1730 具有多个显著的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，该器件的最大漏源电压为 100V，最大漏极电流为 10A，使其适用于中高功率的开关应用，例如 DC-DC 转换器、电机控制和电源管理系统。其低导通电阻（Rds(on)）为 0.27Ω，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
　　其次，MPC1730 的栅极电压范围为 ±20V，允许使用标准的 10V 或 12V 驱动电压进行控制，兼容常见的 MOSFET 驱动电路。此外，该器件具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作，最大工作温度可达 175°C，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
　　最后，MPC1730 采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，便于安装在散热片上，适用于需要高功率耗散的应用场景。其功率耗散能力为 40W，确保在高负载条件下仍能稳定运行。

应用

MPC1730 广泛应用于多种高功率和高可靠性要求的电子系统中。
　　在工业控制领域，该器件可用于开关电源（SMPS）、电机驱动和继电器替代方案，提供高效的功率开关功能。由于其低导通电阻和良好的热性能，适用于需要长时间运行的工业设备。
　　在汽车电子方面，MPC1730 可用于车载电源管理系统、电动车窗控制、灯光控制模块等，满足汽车环境对高可靠性和宽温度范围的要求。
　　此外，该 MOSFET 还适用于电池管理系统（BMS）、逆变器、DC-DC 转换器以及各种功率放大器电路，广泛用于消费类电子、工业自动化和通信设备中。