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TSM2N60CZ 发布时间 时间:2025/5/12 17:29:56 查看 阅读:20

TSM2N60CZ是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他高电压、大电流的功率转换电路中。该器件采用TO-220封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频应用中提供高效的性能。
  该芯片由知名厂商生产,适用于工业级和消费级电子设备中的多种应用场景。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:12A
  栅极阈值电压:3V~5V
  导通电阻(典型值):0.8Ω
  总功耗:140W
  工作温度范围:-55℃~+150℃
  封装形式:TO-220

特性

TSM2N60CZ的主要特点是其高耐压能力以及较低的导通电阻,这使得它在高压环境下的效率表现优异。
  1. 高击穿电压:600V的最大漏源电压使其适用于高电压应用场景。
  2. 快速开关速度:由于其优化的栅极电荷设计,开关损耗显著降低。
  3. 良好的热稳定性:即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
  4. 低导通电阻:0.8Ω的导通电阻确保了更低的传导损耗。
  5. TO-220封装:便于散热并适合各种PCB布局需求。

应用

TSM2N60CZ适合用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC适配器、充电器等。
  2. 电机驱动:如直流无刷电机(BLDC)控制电路。
  3. 逆变器:用于太阳能逆变器和其他能量转换系统。
  4. 负载切换:保护电路免受过流或短路影响。
  5. PFC电路:功率因数校正以提高用电效率。
  6. 工业自动化设备中的各类功率管理模块。

替代型号

IRF640N
  STP12NM60
  FDP17N60

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