TSM2N60CZ 时间：2025/5/12 17:29:56 阅读：35

TSM2N60CZ是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他高电压、大电流的功率转换电路中。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频应用中提供高效的性能。
　　该芯片由知名厂商生产，适用于工业级和消费级电子设备中的多种应用场景。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：12A
　　栅极阈值电压：3V~5V
　　导通电阻（典型值）：0.8Ω
　　总功耗：140W
　　工作温度范围：-55℃~+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

TSM2N60CZ的主要特点是其高耐压能力以及较低的导通电阻，这使得它在高压环境下的效率表现优异。
　　1. 高击穿电压：600V的最大漏源电压使其适用于高电压应用场景。
　　2. 快速开关速度：由于其优化的栅极电荷设计，开关损耗显著降低。
　　3. 良好的热稳定性：即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
　　4. 低导通电阻：0.8Ω的导通电阻确保了更低的传导损耗。
　　5. TO-220封装：便于散热并适合各种PCB布局需求。

应用

TSM2N60CZ适合用于以下应用领域：
　　1. 开关电源(SMPS)：包括AC-DC适配器、充电器等。
　　2. 电机驱动：如直流无刷电机(BLDC)控制电路。
　　3. 逆变器：用于太阳能逆变器和其他能量转换系统。
　　4. 负载切换：保护电路免受过流或短路影响。
　　5. PFC电路：功率因数校正以提高用电效率。
　　6. 工业自动化设备中的各类功率管理模块。