TSM2N60CZ是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他高电压、大电流的功率转换电路中。该器件采用TO-220封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频应用中提供高效的性能。
该芯片由知名厂商生产,适用于工业级和消费级电子设备中的多种应用场景。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:12A
栅极阈值电压:3V~5V
导通电阻(典型值):0.8Ω
总功耗:140W
工作温度范围:-55℃~+150℃
封装形式:TO-220
TSM2N60CZ的主要特点是其高耐压能力以及较低的导通电阻,这使得它在高压环境下的效率表现优异。
1. 高击穿电压:600V的最大漏源电压使其适用于高电压应用场景。
2. 快速开关速度:由于其优化的栅极电荷设计,开关损耗显著降低。
3. 良好的热稳定性:即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
4. 低导通电阻:0.8Ω的导通电阻确保了更低的传导损耗。
5. TO-220封装:便于散热并适合各种PCB布局需求。
TSM2N60CZ适合用于以下应用领域:
1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC适配器、充电器等。
2. 电机驱动:如直流无刷电机(BLDC)控制电路。
3. 逆变器:用于太阳能逆变器和其他能量转换系统。
4. 负载切换:保护电路免受过流或短路影响。
5. PFC电路:功率因数校正以提高用电效率。
6. 工业自动化设备中的各类功率管理模块。
IRF640N
STP12NM60
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