时间：2025/8/18 0:52:20
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A7004R 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗，提高系统效率。A7004R 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等应用中。该器件封装为 SOP-8 或 TSSOP-8，适用于表面贴装工艺，便于在高密度 PCB 设计中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：30V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
最大连续漏极电流 (Id)：4.5A（在 Vgs=10V 时）
导通电阻 (Rds(on))：最大 28mΩ（在 Vgs=10V 时）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOP-8 / TSSOP-8
A7004R MOSFET 具有出色的导通性能和热稳定性，其低 Rds(on) 特性可显著降低导通损耗，提高能效。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保了在高电流条件下的稳定运行。此外，A7004R 的栅极设计优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其高耐压能力和宽泛的工作温度范围使其能够在严苛的工业和汽车环境中可靠运行。A7004R 还具有良好的热阻性能，能够有效地将热量传导到 PCB 板上，从而提高整体系统的热管理能力。该器件符合 RoHS 标准，适用于无铅生产工艺，满足现代电子产品对环保的要求。
此外，A7004R 的封装设计使其适用于自动化装配流程，提高了生产效率。其 SOP-8 和 TSSOP-8 封装形式在空间受限的设计中尤其适用，能够实现紧凑的 PCB 布局。该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，适应不同的驱动电路设计。A7004R 在短路和过载条件下表现出良好的鲁棒性，适用于需要高可靠性的应用场景。
A7004R 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率开关。此外，该器件也广泛用于便携式电子设备中的电源管理模块，以提升能效和延长电池寿命。
Si2302DS, AO3400, IRF7404, FDS6675
