BUK7K13-60E是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)制造的功率MOSFET晶体管,广泛应用于需要高效能、高速开关和低导通电阻的场景。这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管,其设计用于满足汽车电子、工业控制以及电源管理系统等对可靠性要求较高的应用需求。BUK7K13-60E采用了先进的沟槽技术,确保了其在高频率工作时的稳定性,同时保持较低的开关损耗和导通损耗。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大漏极电流(Id):13A
导通电阻(Rds(on)):约20mΩ(具体值取决于栅极电压)
最大功耗(Ptot):45W
栅极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-220AB
BUK7K13-60E的主要特性之一是其极低的导通电阻,这使其在导通状态下能够保持较小的电压降,从而减少能量损耗并提高效率。此外,该器件具有较高的热稳定性和可靠性,能够在严苛的环境条件下长时间工作而不会显著降低性能。由于采用了先进的沟槽技术,BUK7K13-60E在高频开关应用中表现出色,能够有效地减少开关损耗。其高栅极电压耐受能力(±20V)使其适用于多种栅极驱动电路设计,同时具备较高的抗静电能力。该MOSFET的封装形式为TO-220AB,便于散热设计,有助于提高整体系统的稳定性。此外,BUK7K13-60E符合RoHS环保标准,适合现代绿色电子产品的制造需求。
值得一提的是,BUK7K13-60E在汽车电子应用中尤为常见,例如电动车辆的电池管理系统、车用DC-DC转换器以及各种车载电源控制系统。其宽广的工作温度范围使得该器件能够在极端环境条件下可靠运行,是汽车电子系统设计中的理想选择。
BUK7K13-60E广泛应用于多个领域,包括但不限于:汽车电子系统(如电动车辆的电池管理系统、车用DC-DC转换器、车载充电器等)、工业控制(如伺服电机驱动器、自动化设备的电源管理模块)、电源管理系统(如不间断电源、太阳能逆变器、储能系统等)以及消费类电子产品(如高功率LED照明系统、智能家电的电源控制模块)。此外,该MOSFET还适用于需要高效能、高速开关和低导通电阻的场景,例如高频开关电源、马达控制电路以及电池供电设备的电源管理模块。
IRFZ44N, FDPF13N60FS, FQP13N60C