AONS1R6A70 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。这款功率晶体管采用了先进的制程技术,适用于多种高效率功率转换应用。AONS1R6A70 的主要特点是其超低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关性能,使其在电源管理、DC-DC 转换器和负载开关等应用中表现出色。
该器件封装为 LFPAK8L(也称为 PowerSO8),具有良好的散热特性和紧凑的尺寸,适合用于空间受限的设计。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:23A
导通电阻:1.6mΩ
栅极电荷:25nC
总电容:490pF
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
AONS1R6A70 的导通电阻非常低,仅为 1.6mΩ,这显著降低了传导损耗,提高了系统效率。
它还具备快速开关能力,栅极电荷仅为 25nC,能够减少开关损耗。
该器件的工作温度范围宽广,从 -55℃ 到 175℃,确保在极端环境下的稳定运行。
其采用的 LFPAK8L 封装具有低热阻和低寄生电感的特点,进一步提升了性能和可靠性。
AONS1R6A70 还符合 RoHS 标准,满足环保要求。
AONS1R6A70 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器
2. DC-DC 转换器中的功率开关
3. 电机驱动电路中的功率级
4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关
5. 工业自动化设备中的功率控制模块
由于其卓越的性能,这款 MOSFET 非常适合需要高效能和高可靠性的应用场景。
AOTF1R6A70,
AONS1R6A70T,
NTMFS4828N,
IRF7748