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AONS1R6A70 发布时间 时间:2025/4/28 9:44:15 查看 阅读:30

AONS1R6A70 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。这款功率晶体管采用了先进的制程技术,适用于多种高效率功率转换应用。AONS1R6A70 的主要特点是其超低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关性能,使其在电源管理、DC-DC 转换器和负载开关等应用中表现出色。
  该器件封装为 LFPAK8L(也称为 PowerSO8),具有良好的散热特性和紧凑的尺寸,适合用于空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:23A
  导通电阻:1.6mΩ
  栅极电荷:25nC
  总电容:490pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

AONS1R6A70 的导通电阻非常低,仅为 1.6mΩ,这显著降低了传导损耗,提高了系统效率。
  它还具备快速开关能力,栅极电荷仅为 25nC,能够减少开关损耗。
  该器件的工作温度范围宽广,从 -55℃ 到 175℃,确保在极端环境下的稳定运行。
  其采用的 LFPAK8L 封装具有低热阻和低寄生电感的特点,进一步提升了性能和可靠性。
  AONS1R6A70 还符合 RoHS 标准,满足环保要求。

应用

AONS1R6A70 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器
  2. DC-DC 转换器中的功率开关
  3. 电机驱动电路中的功率级
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块
  由于其卓越的性能,这款 MOSFET 非常适合需要高效能和高可靠性的应用场景。

替代型号

AOTF1R6A70,
  AONS1R6A70T,
  NTMFS4828N,
  IRF7748

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AONS1R6A70参数

  • 现有数量2,747现货
  • 价格1 : ¥10.73000剪切带(CT)3,000 : ¥4.54599卷带(TR)
  • 系列aMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)700 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.1A(Ta),4.6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.6 欧姆 @ 1A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)354 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4.1W(Ta),78W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN-EP(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN