时间：2025/6/3 22:37:54
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CDR31BX392BKZPAT是一款高性能的功率MOSFET器件，主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种需要高效功率管理的场景。该芯片采用先进的制程技术，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升系统效率并降低功耗。
该器件封装形式为TO-263（D2PAK），适合表面贴装工艺，便于大规模生产应用。同时，其出色的热性能和电气特性使其成为高功率密度设计的理想选择。
类型：功率MOSFET
极性：N沟道
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：3.5mΩ
Id（连续漏电流）：98A
Vgs（栅源电压）：±20V
Qg（栅极电荷）：74nC
f(tsw)（开关频率）：500kHz
Tj（结温范围）：-55℃ to +175℃
封装：TO-263
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低传导损耗。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗。
3. 高电流承载能力，支持高达98A的连续漏电流。
4. 宽工作电压范围，最大耐压达60V。
5. 具备优异的热稳定性和可靠性，适用于恶劣的工作环境。
6. 表面贴装封装形式（TO-263），简化了制造工艺并提高了生产效率。
7. 符合RoHS标准，环保且满足全球法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流和主开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。
6. 汽车电子系统中的电源管理和配电模块。
IRF3205
FDP5800
AOT290L
STP90NF06L
