时间：2025/8/7 16:15:01
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TFS761HG是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率密度和高效能的电源转换系统。该器件采用高耐压和低导通电阻的技术，适合应用于如DC-DC转换器、电源管理模块、马达驱动器以及各类工业和消费类电子设备中。TFS761HG的封装形式通常为表面贴装型（例如SOP或DFN封装），有助于提高散热效率并减少PCB空间占用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：8A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.95Ω（最大值1.2Ω）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：SOP/DFN
TFS761HG具备多项优良的电气和物理特性，适用于高性能的开关应用。其主要特性包括低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率；高耐压能力使其适用于600V的高压电路环境，具备良好的稳定性和可靠性。此外，该MOSFET采用先进的封装技术，具有良好的热管理能力，能够在高电流负载下保持较低的工作温度，延长器件寿命。
该器件还具备快速开关特性，支持高频操作，适用于高效率的开关电源（SMPS）设计。其栅极结构优化设计，降低了输入电容和反向传输电容，从而减少驱动损耗和开关延迟。TFS761HG还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。
在制造工艺方面，TFS761HG采用了东芝先进的U-MOS技术，确保了器件在高电压和高电流条件下的优异性能。其封装形式支持表面贴装工艺，便于自动化生产，同时减少了PCB布局的空间需求。
TFS761HG广泛应用于各类电力电子系统中，例如高效率的DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、LED照明驱动电源、电机控制模块、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关电路。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，该MOSFET特别适合对效率和可靠性要求较高的应用场景，如服务器电源、通信设备电源、工业电源和消费类电子产品中的高功率密度设计。
TKA761H,HGTG7N60B3,TFS761H
