时间：2025/5/6 16:17:05
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CSD88539ND是德州仪器（TI）推出的一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率级芯片。它集成了栅极驱动器和GaN FET，专为高性能DC/DC转换、POL（Point of Load）调节以及其它需要高效率和高密度解决方案的应用而设计。
该器件通过优化开关性能和导通电阻，显著提升了功率密度并降低了功耗，非常适合数据中心、电信基础设施和工业应用中的电源系统。
最大额定电压：60V
连续漏极电流：47A
RDS(on)：2.5mΩ
开关频率：高达1MHz
封装类型：QFN 8x8mm
工作温度范围：-40℃至125℃
输入电容：1.1nF
输出电荷：13nC
CSD88539ND采用先进的GaN技术，具有非常低的导通电阻和超快的开关速度，从而实现高效率和高功率密度的设计。
其集成式结构简化了电路设计，减少了外围元件数量。
此外，这款芯片具备出色的热性能，能够在高频操作下维持较低的工作温度。
GaN FET的使用使得开关损耗大幅降低，并支持更高频率的操作，从而减小无源元件的尺寸，进一步提升整体系统的功率密度。
内置保护功能增强了系统的可靠性，例如过流保护和短路保护。
CSD88539ND适用于多种高要求的应用场景，包括但不限于：
1. 数据中心服务器和网络交换机中的高效DC/DC转换模块。
2. 电信基站中的POL转换器。
3. 工业自动化设备中的电源管理单元。
4. 图形处理器（GPU）供电以及其他对效率和空间有严格要求的负载点应用。
5. 高频AC/DC适配器和充电器设计。
CSD88538N, CSD88589N
