时间：2025/5/7 18:27:24
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ME60N03-UDU 是一款 N 治道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 DPAK 封装。该器件主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景，具有较低的导通电阻和较快的开关速度。
这款 MOSFET 的最大特点是其优化的性能参数，能够满足高效率功率转换的需求，同时具备良好的热性能表现。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：29nC
总电容：1750pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
ME60N03-UDU 具有低导通电阻 (Rds(on))，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外，该器件的栅极电荷较低，从而减少了开关损耗，使其非常适合高频应用。
其封装形式为 DPAK (TO-252)，提供了出色的散热性能，使得器件能够在较高功率密度下稳定运行。
由于其额定电流高达 48A，并且支持较宽的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，因此适用于多种工业及汽车级环境下的功率管理方案。
此 MOSFET 还具备快速开关能力，可有效降低电磁干扰 (EMI) 并提升系统动态响应性能。
该元器件广泛用于各类功率转换设备中，例如高效能 DC-DC 转换器、电池管理系统 (BMS)、逆变器以及 LED 驱动电路。
在汽车电子领域，它可以用于车载充电器、电动助力转向系统 (EPS) 和其他需要大电流控制的场合。
此外，在工业自动化领域，ME60N03-UDU 也可作为功率开关应用于伺服驱动器或 UPS 系统之中。
ME60N03TBD, ME60N03G
