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M95512-DRMN3TP/K 发布时间 时间:2025/7/23 5:54:18 查看 阅读:13

M95512-DRMN3TP/K 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款串行EEPROM存储器芯片,采用SPI接口进行通信。该芯片的存储容量为512 Kbit(64 Kbyte),适用于需要非易失性存储器的应用场景。其工作电压范围为1.7V至3.6V,适合低功耗应用需求。M95512-DRMN3TP/K 采用8引脚TDFN封装,具备高可靠性和工业级工作温度范围。

参数

容量:512 Kbit (64 Kbyte)
  接口类型:SPI
  工作电压:1.7V - 3.6V
  最大时钟频率:40 MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:8引脚 TDFN
  写保护功能:硬件和软件写保护
  数据保持时间:100年
  擦写次数:4,000,000次

特性

M95512-DRMN3TP/K 具备多种实用特性,使其在工业和消费类应用中表现出色。首先,其512 Kbit的存储容量非常适合需要较大非易失性存储空间的设计,例如配置数据存储、校准信息或小型数据库。SPI接口确保了高速通信,最大时钟频率可达40 MHz,从而加快了数据读写速度。此外,芯片内置硬件和软件写保护功能,防止意外数据修改,提高了数据的安全性和可靠性。
  该芯片的低电压工作范围(1.7V至3.6V)使其兼容多种电源系统,并支持低功耗模式,适用于电池供电设备。M95512-DRMN3TP/K 的擦写次数高达400万次,数据保持时间长达100年,确保了长期稳定的数据存储。其采用的8引脚TDFN封装,不仅节省空间,还具备良好的热稳定性和机械强度,适合在恶劣环境中使用。

应用

M95512-DRMN3TP/K 广泛应用于需要非易失性存储器的各种电子系统中。典型应用包括工业控制设备中的配置参数存储、智能传感器的校准数据保存、消费类电子产品(如智能手表、可穿戴设备)的用户数据存储、医疗设备的日志记录、以及汽车电子模块的设置信息存储等。由于其高可靠性和宽温度范围,该芯片也适用于汽车、航空航天等高要求环境下的数据存储任务。

替代型号

M95512-DRMN6TP/K, M95M512-DRMN3TP/K, AT25SF512A, SST25VF512

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M95512-DRMN3TP/K参数

  • 现有数量12,204现货
  • 价格1 : ¥19.16000剪切带(CT)2,500 : ¥13.31408卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式EEPROM
  • 技术EEPROM
  • 存储容量512Kb
  • 存储器组织64K x 8
  • 存储器接口SPI
  • 时钟频率16 MHz
  • 写周期时间 - 字,页4ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC