容量：256Kbit
　　组织方式：32K x 8
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：8.5ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　封装引脚数：54引脚
　　数据保持电压：1.0V（最小）
　　待机电流：最大10mA（典型值）
　　输出使能时间：最大4.5ns
　　片选使能时间：最大4.5ns
　　时序控制：异步控制
　　封装尺寸：约5.0mm x 10.0mm

M5M5256DVP85VXL-I 是一款高性能的异步SRAM芯片，具备快速访问速度和低功耗特性。其最大访问时间为8.5纳秒，适用于需要快速数据存取的实时系统。芯片采用低功耗CMOS工艺制造，在保持高速性能的同时降低了整体功耗，适合电池供电设备和嵌入式系统使用。该器件支持异步控制模式，具有片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）控制信号，便于与多种微控制器和处理器接口。
　　该SRAM芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，具有良好的电压适应能力，适用于多种电源设计。其数据保持电压低至1.0V，确保在低电压环境下数据不会丢失，提高了系统的稳定性。该芯片在待机模式下的电流消耗极低，典型值为10mA，有助于延长设备的续航时间。
　　此外，M5M5256DVP85VXL-I 采用54引脚TSOP封装，具有较小的封装尺寸（约5.0mm x 10.0mm），适合高密度PCB布局。该封装方式也提供了良好的散热性能和机械稳定性，确保在高温和振动环境下仍能稳定工作。芯片符合工业级温度范围（-40°C至+85°C）要求，适用于各种恶劣工作环境。

M5M5256DVP85VXL-I SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络路由器、测试与测量仪器、医疗设备和消费类电子产品。由于其低功耗和高速特性，特别适合用于缓存存储、实时数据处理和临时数据缓冲等场景。

IS61LV256ALB42BLL-I/SS、CY7C1041CV33-8VC、IDT71V433SA85B、M5M5256BVPI-85VXL-I、AS7C256A-8SIN