时间：2025/7/11 17:15:06
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IRFR3711ZTRPBF 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沣道场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用了先进的沟槽式技术，旨在提供卓越的开关性能和低导通电阻。其主要应用领域包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等。这款 MOSFET 的封装形式为 P-TO-252AB，适合表面贴装工艺。
该器件因其高效率和紧凑的设计而备受青睐，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：60 V
最大栅源电压 (Vgs)：±20 V
持续漏极电流 (Id)：47 A
导通电阻 (Rds(on))：2.2 mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗：38 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：P-TO-252AB
IRFR3711ZTRPBF 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗并提升系统效率。
2. 快速开关速度，适用于高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力，确保在过流或短路情况下的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，环保设计。
5. 提供出色的热性能，支持高功率密度设计。
6. 小型化封装，节省 PCB 空间。
这些特性使 IRFR3711ZTRPBF 成为高效能电源管理应用的理想选择。
该器件的应用领域非常广泛，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的主开关。
2. 各类负载开关和保护电路。
3. 电动工具及小型家电中的电机驱动。
4. 汽车电子系统的电池管理和保护。
5. 工业自动化设备中的功率转换与控制。
由于其优异的电气性能和可靠性，IRFR3711ZTRPBF 在众多需要高效能和高可靠性的场景中得到了广泛应用。
IRFB3710TRPBF, IRFR3710ZTRPBF
