型号：IXTQ88N28T
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：280V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：88A
　　脉冲漏极电流（IDM）：352A
　　导通电阻（RDS(on)）：16mΩ @ VGS=10V
　　阈值电压（VGS(th)）：4.0V ~ 6.0V
　　栅极电荷（Qg）：170nC @ VGS=10V
　　输入电容（Ciss）：6000pF
　　输出电容（Coss）：950pF
　　反向恢复时间（trr）：55ns
　　最大功耗（PD）：400W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装：TO-247

IXTQ88N28T具备卓越的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合。该器件的RDS(on)典型值仅为16mΩ，在高电流工作条件下能有效减少导通损耗，提升系统能效。其高达88A的连续漏极电流能力使其适用于大功率变换场合，如工业电机驱动和高功率DC-DC转换器。此外，该MOSFET采用优化的晶圆工艺，实现了较低的栅极电荷（Qg=170nC），从而降低了驱动电路的功耗并提高了开关速度，适用于高频开关拓扑结构。器件的输入电容和输出电容分别为6000pF和950pF，有助于在高速开关过程中维持稳定的电压和电流波形。
　　该MOSFET还具备出色的热性能，TO-247封装提供了优良的热阻特性，结到壳热阻（RthJC）约为0.31°C/W，有利于热量快速传导至外部散热系统，防止器件因过热而损坏。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其能够在极端环境温度下可靠运行，适用于工业级和严苛环境应用。此外，器件具有较强的抗雪崩能量能力，能够在电压瞬变或感性负载关断时承受一定的过压冲击，提高了系统的安全性和耐用性。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=55ns），减少了开关过程中的反向恢复损耗，避免了不必要的功率损耗和电磁干扰问题。这些综合特性使得IXTQ88N28T成为高效率、高可靠性功率系统中的理想选择。

IXTQ88N28T广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其适用于需要高效开关性能和高电流处理能力的场景。在开关模式电源（SMPS）中，该器件可用于主开关管，实现高效的能量转换，适用于服务器电源、通信电源和工业电源模块。在逆变器系统中，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），IXTQ88N28T凭借其低导通损耗和高耐压特性，能够有效提升逆变效率并增强系统稳定性。此外，在电机驱动领域，特别是直流电机和步进电机控制系统中，该MOSFET可作为H桥电路中的功率开关元件，提供快速响应和精确控制。其高电流能力和良好的热管理特性也使其适用于焊接设备、感应加热系统和电镀电源等工业设备中。在电动汽车充电系统和储能系统中，该器件可用于功率因数校正（PFC）电路或DC-DC变换器模块，满足高功率密度和高效率的设计需求。同时，由于其具备良好的抗干扰能力和环境适应性，也可用于铁路牵引系统、医疗电源及自动化控制设备中，作为关键的功率开关组件。

IXFH88N28P
　　IXTH88N28Q