时间：2025/9/14 18:47:56
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BUK762R9-40E,118 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高效率开关应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场合。该 MOSFET 采用 TO-220 封装，具备良好的热性能和可靠性，适用于工业级应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：400 V
漏极电流 Id：9 A
Rds(on)：典型值 2.3 Ω（最大值 2.9 Ω）
栅极电压 Vgs：±20 V
功耗（Ptot）：50 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
工艺技术：Trench MOSFET
BUK762R9-40E,118 具有优异的导通性能和快速开关特性。其低 Rds(on) 特性可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件支持高达 400V 的漏源电压，能够在高压环境下稳定运行，适用于各种功率转换应用。
此外，该 MOSFET 的封装设计具有良好的热管理能力，有助于在高电流负载下保持较低的温度上升，提高系统的稳定性和寿命。其栅极耐压能力为 ±20V，具备一定的过压保护能力，适用于多种驱动电路设计。
在开关特性方面，BUK762R9-40E 的开关速度较快，能够满足高频开关应用需求，减少开关损耗并提升整体效率。同时，其内部结构优化设计降低了寄生电容，从而改善了高频下的性能表现。
该 MOSFET 主要用于电源管理、DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、LED 驱动电源、电池管理系统、电机控制电路、工业自动化设备以及智能家电等场景。在这些应用中，BUK762R9-40E 能够提供高效的功率控制，同时具备良好的稳定性和可靠性，满足高要求的工业和消费电子设计需求。
STP9NK60Z, FQP9N40C, IRF740, 2SK2289
