型号：MBG965W-E1
　　制造商：Rohm
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：18A @ Ta=25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：72A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.3mΩ @ Vgs=10V；5.7mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：2200pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：590pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间（trr）：24ns
　　栅极电荷（Qg）：19nC @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：2.5W @ Ta=25°C
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：HSON6（HSOP-6）
　　安装类型：表面贴装SMT

MBG965W-E1采用罗姆先进的沟槽结构工艺，实现了极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下仅为4.3mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。这种低Rds(on)特性尤其适用于大电流应用场景，如电池供电设备中的负载开关或同步整流电路，能够有效减少发热并提升能效表现。器件的栅极电荷Qg仅为19nC，表明其在开关过程中所需的驱动能量较小，有利于实现高速开关操作，同时降低开关损耗。这对于高频DC-DC转换器等需要快速切换的应用至关重要，可帮助系统实现更高的工作频率和更小的外围元件尺寸。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性和较高的安全工作区（SOA），可在-55°C至+150°C的结温范围内可靠运行，适应严苛的工作环境。其HSON6小型封装不仅节省PCB空间，还通过优化引脚布局和内部结构提升了散热性能，确保在高功率密度设计中仍能保持良好温升控制。此外，MBG965W-E1的阈值电压Vth典型值为1.5V，支持低压逻辑信号直接驱动，兼容3.3V或5V微控制器输出，简化了驱动电路设计。输入电容Ciss为2200pF，输出电容Coss为590pF，在保证快速响应的同时避免了过大的容性负载，有助于维持系统稳定性。
　　器件还具备较强的抗雪崩能力和优良的dv/dt抗扰度，增强了在瞬态过压或感性负载切换时的鲁棒性。内置体二极管具有较短的反向恢复时间trr（24ns），减少了反向恢复电荷，从而降低了开关节点的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。这些特性使得MBG965W-E1在电机驱动、LED驱动、热插拔控制器和负载开关等应用中表现出色。总体而言，这款MOSFET结合了高性能、小型化和高可靠性，是现代高效能电子系统中理想的功率开关选择。

MBG965W-E1主要用于需要高效率、小尺寸和高可靠性的功率开关场合。常见应用包括便携式电子设备中的DC-DC降压或升压转换器，用于调节电池电压以供给处理器、显示屏或其他子系统。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于同步整流电路，提升电源转换效率。此外，该器件也广泛应用于电池管理系统（BMS）、电源路径控制和热插拔电路中，作为负载开关或背靠背配置的通断控制元件。
　　在电机驱动领域，MBG965W-E1可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，实现正反转和调速功能。由于其快速开关特性和低栅极驱动需求，能够有效减少驱动延迟和功耗。在工业控制设备中，该MOSFET可用于继电器替代、固态开关和电源分配单元，提供更长寿命和更低噪声的操作体验。
　　通信设备和网络模块中，MBG965W-E1常用于板级电源管理，实现多路电源的顺序上电或节能模式切换。其小型HSON6封装特别适合高密度PCB布局，满足现代通信模块对空间和散热的双重需求。此外，在LED照明驱动电路中，该器件可用于恒流调节或PWM调光控制，凭借其快速响应能力实现精确亮度控制。总之，MBG965W-E1凭借其优异的电气性能和紧凑封装，适用于消费类电子、工业自动化、电信基础设施和汽车电子等多种领域的中低电压功率开关应用。

DMG965SSS-13
　　BSS138LT1G
　　AO4403