类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　最大工作频率（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：100 - 800（根据档位不同）
　　封装类型：SOT-23

LMURH820G 的主要特性之一是其高频率响应能力，使其适用于高频放大电路。晶体管的 fT（过渡频率）达到 250 MHz，意味着在射频和中频应用中可以提供稳定的增益。此外，该器件的 hFE（电流增益）范围较宽，从 100 到 800，这使得它可以根据具体电路需求选择不同的增益档位，提高了设计的灵活性。
　　该晶体管的低噪声特性也是其在高性能放大器中的重要优势。在射频前端设计中，噪声系数是一个关键参数，LMURH820G 在这方面表现优异，有助于提高信号的信噪比，从而提升整体系统性能。
　　另一个显著特点是其小型化的 SOT-23 封装，这种封装不仅节省空间，还具备良好的热性能，适合在高密度 PCB 设计中使用。同时，该封装具有较高的机械强度和可靠性，适用于各种工业和商业应用场景。
　　此外，LMURH820G 的最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，能够在较宽的电压范围内稳定工作。这种电气特性使其适用于多种电源条件下的电路设计。

LMURH820G 主要用于射频和中频放大器的设计。在无线通信系统中，如蜂窝网络、Wi-Fi 路由器和蓝牙设备，该晶体管常用于射频前端放大器，以增强接收到的微弱信号。其高增益和低噪声特性使其成为此类应用的理想选择。
　　在广播设备中，LMURH820G 也常用于中频放大器和调制器电路。广播发射机需要稳定的放大器来处理中频信号，该晶体管能够提供所需的增益和频率响应，确保信号的高质量传输。
　　此外，该晶体管还广泛应用于测试和测量设备，如频谱分析仪和信号发生器。这些设备需要高精度的放大器来处理高频信号，而 LMURH820G 的优异性能能够满足这一需求。
　　在消费电子产品中，LMURH820G 也用于 FM 收音机和遥控器等设备的射频放大电路。其小型化的封装和高性能特性使其成为这些应用的理想选择。

BC847系列, 2N3904, BFQ59