BUK7222-55A,118 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,适用于高效能电源转换设备。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):55V
最大漏极电流(ID):180A(在25°C)
导通电阻(RDS(on)):最大8.5mΩ(在VGS=10V)
栅极电压(VGS)范围:±20V
最大功耗(PD):300W
工作温度范围:-55°C至175°C
BUK7222-55A,118 是一款高性能功率MOSFET,其设计旨在提供高效能和高可靠性。该器件采用先进的沟槽技术,降低了导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了能效。此外,该MOSFET的封装形式为TO-247,具备良好的散热性能,能够承受较高的连续工作电流。该器件具有快速开关特性,适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用。
其低导通电阻(RDS(on))在10V栅极电压下仅为8.5毫欧,这使得在大电流条件下能够保持较低的功率损耗,从而提高整体系统效率。同时,该器件的热阻较低,能够在高温环境下稳定工作,延长使用寿命。
BUK7222-55A,118 还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性,使其在恶劣的工作环境下仍能保持稳定运行。其栅极驱动电压范围为±20V,适合多种驱动电路配置,提高了设计灵活性。
BUK7222-55A,118 MOSFET 主要用于需要高效功率转换和管理的电路中,包括开关电源(SMPS)、同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器以及工业自动化设备。其高电流能力和低导通电阻使其特别适合用于大功率应用,例如服务器电源、电信设备、电池充电器和不间断电源(UPS)系统。
在电动车和新能源系统中,该MOSFET可用于电池管理系统(BMS)、太阳能逆变器以及储能系统的功率控制部分。此外,其高可靠性和优异的热性能也使其成为汽车电子和工业控制系统的理想选择。
IRF1405, STP150N8F7AG, FDP180N08A