类型：N 沟道
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：15 A
　　工作温度：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 0.33 Ω（在 Vgs=10V 时）

MH100533NJ 的设计使其在高电压和高电流环境下表现出色，其主要特性包括：
　　1. 低导通电阻：Rds(on) 典型值为 0.33 Ω，降低了导通损耗，提高了效率。
　　2. 高耐压能力：500V 的 Vds 额定值使其适用于中高压功率转换系统。
　　3. 高电流能力：15A 的连续漏极电流能力，适合中高功率应用。
　　4. 高可靠性：TO-220 封装具备良好的散热性能，确保长时间运行的稳定性。
　　5. 快速开关特性：较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于实现快速开关，减少开关损耗。
　　6. 宽栅极电压范围：±30V 的 Vgs 耐压提供了良好的驱动灵活性，同时具备过压保护能力。
　　7. 热稳定性好：由于采用了先进的硅片加工技术和封装工艺，该器件在高温环境下依然能保持稳定工作。

MH100533NJ 适用于多种功率电子设备，包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：如AC/DC电源适配器、服务器电源、工业电源等。
　　2. 电机控制：用于无刷直流电机（BLDC）、伺服电机等的驱动电路。
　　3. 逆变器：适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等系统中的DC-AC转换电路。
　　4. 工业自动化设备：如PLC控制模块、变频器、工业电机驱动器等。
　　5. 电动车系统：如电动自行车控制器、电动车充电器等。
　　6. 电子负载与测试设备：用于电源测试、负载模拟等测试系统中。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，MH100533NJ 也常用于要求较高的工业和消费类电子产品中。

IXFH15N50P, IRFBC40, FDPF15N50, STP15NK50Z