时间：2025/9/23 18:06:59
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ACNT-H61LC-000E是一款由Broadcom（博通）公司生产的高性能、单通道隔离式栅极驱动器光耦。该器件专为驱动功率MOSFET、IGBT和SiC MOSFET等功率半导体器件而设计，广泛应用于需要电气隔离的高噪声工业环境和电源系统中。ACNT-H61LC-000E结合了先进的CMOS技术与光耦隔离技术，提供了可靠的信号传输和出色的抗噪声能力。该器件采用紧凑的8引脚SOIC封装（窄体），具有高绝缘电压能力，适合在要求高安全性和可靠性的系统中使用。其内部集成了LED输入级、隔离传输层和输出驱动电路，能够实现高达5.0 kVRMS的隔离耐压，满足UL、CSA和IEC/EN/DIN VDE 0884-10等国际安全标准的要求。此外，该器件支持宽温度范围工作，适用于工业电机控制、开关电源、逆变器、UPS和太阳能逆变器等多种应用场景。
类型：单通道隔离栅极驱动器光耦
通道数：1
输入类型：LED
输出类型：推挽式（图腾柱）
供电电压（VCC）：最大35 V
峰值输出电流：±2.5 A
传播延迟：典型值70 ns
上升时间（tr）：典型值15 ns
下降时间（tf）：典型值15 ns
共模瞬态抗扰度（CMTI）：最小150 kV/μs
隔离电压（VISO）：5000 VRMS（1分钟，符合UL 1577）
工作温度范围：-40°C 至 +110°C
封装类型：8引脚SOIC（窄体）
爬电距离：≥7.5 mm
内部气隙：≥0.014 mm
安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN VDE 0884-10（增强型隔离）
ACNT-H61LC-000E具备卓越的电气隔离性能和高速响应能力，是驱动高功率开关器件的理想选择。其核心优势之一是极高的共模瞬态抗扰度（CMTI），最小可达150 kV/μs，这意味着即使在存在剧烈电压变化的环境中，例如电机驱动或逆变器电路中，该器件也能有效防止误触发，确保控制信号的准确传递，从而提升系统的稳定性和安全性。这一特性对于防止因高dv/dt引起的逻辑错误至关重要，特别是在高频开关应用中，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件的驱动场景。
该器件采用推挽式输出结构，提供高达±2.5 A的峰值输出电流，能够快速充放电功率管的栅极电容，显著缩短开关时间，降低开关损耗，提高系统效率。这种高驱动能力特别适合用于驱动大功率IGBT模块或低栅极电阻的SiC MOSFET，确保在高频率下仍能实现高效、可靠的开关操作。
ACNT-H61LC-000E支持宽范围的VCC供电电压（最高35V），增强了其在不同电源架构中的适用性。同时，其超低的传播延迟（典型70 ns）和极短的上升/下降时间（各约15 ns）保证了精确的时序控制，有助于实现更高的开关频率和更紧凑的系统设计。此外，该器件工作温度范围宽达-40°C至+110°C，适应严苛的工业环境。
在安全合规方面，ACNT-H61LC-000E通过了多项国际安全标准认证，包括UL 1577和IEC/EN/DIN VDE 0884-10，提供增强型电气隔离保护，确保操作人员和设备的安全。其封装设计满足7.5 mm的最小爬电距离要求，适用于高海拔和高污染等级的应用环境。这些特性使其成为工业自动化、可再生能源和电动汽车充电系统中不可或缺的关键元件。
ACNT-H61LC-000E广泛应用于需要高可靠性电气隔离的电力电子系统中。典型应用包括工业电机驱动器中的IGBT或SiC MOSFET栅极驱动，用于精确控制三相交流电机的运行；在开关模式电源（SMPS）中，作为主控IC与功率级之间的隔离接口，确保反馈回路的安全与稳定；在不间断电源（UPS）系统中，用于逆变器桥臂的驱动，提供快速响应和高抗干扰能力，保障电源切换的平滑性。
该器件也适用于太阳能光伏逆变器，其中高CMTI和高隔离电压特性能够应对复杂的电磁环境，确保直流侧与交流侧之间的安全隔离。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，ACNT-H61LC-000E可用于驱动PFC（功率因数校正）电路和DC-DC变换器中的功率开关，支持高频高效运行。
此外，在工业自动化设备、伺服驱动器、焊接电源和感应加热系统中，该光耦凭借其高驱动能力和稳定性，能够有效提升系统整体性能和可靠性。由于其支持宽温工作和符合多项安全标准，也适用于户外或恶劣工业环境下的长期运行。
ACPL-H342-000E
HCPL-J312
SI82392-A-ISR
