时间:2025/12/26 0:22:03
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SCDS5D18NT6R2是一款由Vishay Semiconductor Diodes Division生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用表面贴装SMA(DO-214AC)封装。该器件专为高效率、低损耗的电源应用而设计,广泛应用于开关模式电源(SMPS)、逆变器、续流二极管和极性保护电路中。SCDS5D18NT6R2具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,使其在高频工作条件下表现出优异的性能。该二极管的最大重复峰值反向电压(VRRM)为60V,最大平均整流电流(IF(AV))为5A,适用于中等功率级别的应用。其封装形式便于自动化贴片生产,符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性和可靠性。器件的PN结至环境的热阻(RthJA)较低,有助于在高负载条件下有效散热,提升系统整体稳定性。此外,该型号采用无卤素(Halogen-Free)材料制造,满足现代电子产品对绿色环保的严格要求。
类型:肖特基二极管
配置:单路
最大重复峰值反向电压(VRRM):60V
最大直流阻断电压(VR):60V
最大RMS电压(VRMS):42V
最大平均整流电流(IF(AV)):5A
峰值非重复浪涌电流(IFSM):150A
最大正向电压(VF)@ 5A:850mV @ 5A
最大反向漏电流(IR)@ 25°C:400μA @ 60V
最大反向漏电流(IR)@ 125°C:5mA @ 60V
最大反向恢复时间(trr):典型值5ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
封装/外壳:SMA(DO-214AC)
安装类型:表面贴装
极性:中心阴极
湿度敏感等级(MSL):1级(<=30°C/85%RH)
引脚数:2
热阻结至环境(RthJA):40 K/W
热阻结至引线(RthJL):15 K/W
SCDS5D18NT6R2的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种结构利用金属-半导体结代替传统的P-N结,从而显著降低正向导通压降并消除少数载流子的存储效应,实现近乎瞬时的开关响应。该器件在5A电流下的最大正向电压仅为850mV,相较于传统硅二极管可大幅减少导通损耗,提高电源转换效率,特别适合用于低压大电流输出的DC-DC变换器中。其极短的反向恢复时间(trr典型值5ns)意味着在高频开关过程中几乎不会产生反向恢复电荷(Qrr),从而降低了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),提升了系统的整体能效和稳定性。该二极管具备高达150A的峰值非重复浪涌电流能力,能够在瞬态过载或启动冲击下保持可靠运行,增强了系统鲁棒性。
在热管理方面,SCDS5D18NT6R2的SMA封装设计具有较低的热阻(RthJA为40K/W),结合PCB上的适当铜箔面积,可有效将工作热量传导至外部环境,防止因局部过热导致的性能下降或器件失效。其宽泛的工作结温范围(-55°C至+150°C)确保了在极端环境条件下的稳定运行,适用于工业控制、汽车电子等严苛应用场景。器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准,表明其经过严格的应力测试,具备高可靠性和长寿命。此外,该产品采用无铅(Lead-Free)和无卤素材料制造,符合RoHS、REACH等环保法规要求,支持绿色电子产品设计。其MSL 1级评级意味着无需烘烤即可进行回流焊接,简化了生产流程,提高了制造良率。
SCDS5D18NT6R2广泛应用于各类需要高效能、快速响应的电源系统中。典型应用包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流环节,特别是在低压大电流输出的同步整流架构中作为辅助或主整流元件使用;在DC-DC升压或降压转换器中作为续流二极管,有效降低功耗并提升效率;在逆变器和电机驱动电路中用于防止反向电压损坏开关器件;在电池充电管理系统中实现充放电路径的单向控制;以及在太阳能微型逆变器、LED驱动电源、便携式设备电源模块等领域发挥关键作用。由于其具备良好的高温稳定性和抗浪涌能力,也适用于汽车电子系统,如车载充电器(OBC)、车身控制模块和辅助电源单元。此外,该器件可用于输入电源的极性反接保护电路,防止错误连接导致后级电路损坏。其表面贴装封装形式适合高密度PCB布局和自动化装配工艺,广泛服务于消费电子、工业自动化、通信设备和汽车电子等多个行业领域。
VS-SDS5D18N-M3/6T
SDS5D18NT6R2
MBR560
SB560
SS560