FTP18N20C是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关和功率放大场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特点,适用于各种电源管理应用以及电机驱动等场合。
FTP18N20C的设计使其能够在高压环境下高效运行,并且具备良好的可靠性和耐用性。其封装形式通常为TO-220或TO-252,便于散热和电路板布局。
最大漏源电压:200V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:18A
导通电阻:0.18Ω
功耗:36W
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
1. 高击穿电压,能够承受高达200V的漏源电压,确保在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻,仅为0.18Ω,在高电流应用中降低了功率损耗。
3. 快速开关特性,减少了开关损耗并提高了整体效率。
4. 良好的热性能,支持长时间稳定运行。
5. 宽工作温度范围,适应极端环境条件,适合工业及汽车级应用。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
FTP18N20C广泛应用于各类需要高效功率控制的领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 直流/直流转换器和逆变器中的开关元件。
3. 各种电机驱动电路,如步进电机和无刷直流电机的控制。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换功能。
5. 照明系统中的电子镇流器和LED驱动电路。
6. 工业自动化设备中的功率控制部分。
IRFZ44N
STP18NF06
FDP18N20
IXTH18N20L