FTP18N20C 时间：2025/7/2 16:20:29 阅读：26

FTP18N20C是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关和功率放大场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特点，适用于各种电源管理应用以及电机驱动等场合。
　　FTP18N20C的设计使其能够在高压环境下高效运行，并且具备良好的可靠性和耐用性。其封装形式通常为TO-220或TO-252，便于散热和电路板布局。

参数

最大漏源电压：200V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：18A
　　导通电阻：0.18Ω
　　功耗：36W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

1. 高击穿电压，能够承受高达200V的漏源电压，确保在高压环境下的稳定运行。
　　2. 低导通电阻，仅为0.18Ω，在高电流应用中降低了功率损耗。
　　3. 快速开关特性，减少了开关损耗并提高了整体效率。
　　4. 良好的热性能，支持长时间稳定运行。
　　5. 宽工作温度范围，适应极端环境条件，适合工业及汽车级应用。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。

应用

FTP18N20C广泛应用于各类需要高效功率控制的领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
　　2. 直流/直流转换器和逆变器中的开关元件。
　　3. 各种电机驱动电路，如步进电机和无刷直流电机的控制。
　　4. 电池管理系统（BMS）中的保护和切换功能。
　　5. 照明系统中的电子镇流器和LED驱动电路。
　　6. 工业自动化设备中的功率控制部分。