您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FTP18N20C

FTP18N20C 发布时间 时间:2025/7/2 16:20:29 查看 阅读:9

FTP18N20C是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关和功率放大场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特点,适用于各种电源管理应用以及电机驱动等场合。
  FTP18N20C的设计使其能够在高压环境下高效运行,并且具备良好的可靠性和耐用性。其封装形式通常为TO-220或TO-252,便于散热和电路板布局。

参数

最大漏源电压:200V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:0.18Ω
  功耗:36W
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

1. 高击穿电压,能够承受高达200V的漏源电压,确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 低导通电阻,仅为0.18Ω,在高电流应用中降低了功率损耗。
  3. 快速开关特性,减少了开关损耗并提高了整体效率。
  4. 良好的热性能,支持长时间稳定运行。
  5. 宽工作温度范围,适应极端环境条件,适合工业及汽车级应用。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

FTP18N20C广泛应用于各类需要高效功率控制的领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 直流/直流转换器和逆变器中的开关元件。
  3. 各种电机驱动电路,如步进电机和无刷直流电机的控制。
  4. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换功能。
  5. 照明系统中的电子镇流器和LED驱动电路。
  6. 工业自动化设备中的功率控制部分。

替代型号

IRFZ44N
  STP18NF06
  FDP18N20
  IXTH18N20L

FTP18N20C推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价