时间：2025/9/13 22:45:29
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BUK625R2-30C,118 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高功率密度应用设计，具备优异的导通电阻和热稳定性，适用于广泛的电源管理领域。该MOSFET采用TO-220AB封装形式，具备良好的散热性能和机械稳定性。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：300V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：9A（在Tc=25℃时）
导通电阻(Rds(on))：0.26Ω（最大值）
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-220AB
功率耗散(Pd)：83W
BUK625R2-30C,118 具备一系列高性能特性，使其适用于多种功率电子应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。这使得该器件特别适合用于高电流负载的应用，例如开关电源、DC-DC转换器和电机控制电路。
其次，该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压额定值为300V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率等级的电路设计。此外，其栅源电压范围为±20V，支持广泛的驱动电路设计，并具备较强的抗电压波动能力。
其TO-220AB封装形式不仅提供了良好的热管理性能，还具备较高的机械稳定性和易于安装的特点，适用于工业级应用环境。该器件的工作温度范围为-55℃至150℃，适应各种恶劣环境下的运行需求。
另外，BUK625R2-30C,118 还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高响应速度，从而提升整体系统性能。同时，其增强型结构设计确保在关断状态下具备良好的漏电流控制能力，确保系统在低功耗模式下的稳定性。
BUK625R2-30C,118 广泛应用于多种功率电子设备中。常见用途包括开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压能力和低导通电阻，它也非常适合用于照明系统、不间断电源（UPS）和电池管理系统等应用。
在消费类电子产品中，如电源适配器、充电器和LED照明驱动电路中，该MOSFET同样具备良好的适用性。此外，由于其良好的热稳定性和可靠性，BUK625R2-30C,118 也常被用于汽车电子系统中，例如车载充电系统、电机控制模块和车载逆变器等应用。
对于需要高效能和高可靠性的工业控制设备，例如PLC（可编程逻辑控制器）、工业伺服电机驱动器和自动化生产线中的功率开关，该器件同样表现出色。其高耐压和高电流承载能力使其能够在苛刻的工作条件下稳定运行。
STP9NK60Z, IRF840, FQA9N60C, 2SK2141
