时间：2025/7/23 22:06:49
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L256M16DDR400B-E 是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款存储器模块采用DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）技术，具有256MB的存储容量，数据总线宽度为16位，工作频率为400MHz，因此具备较高的数据传输率。该器件适用于需要中等容量高速存储器的应用场景，如嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及图像处理设备等。该芯片的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），具有良好的稳定性和散热性能，适合在宽温环境下运行。
类型：DRAM
存储容量：256MB
数据总线宽度：16位
频率：400MHz
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
电源电压：2.3V至3.6V
封装尺寸：54引脚
最大存取时间：5.4ns
刷新周期：64ms
数据输出类型：三态
时钟频率：DDR400
L256M16DDR400B-E 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，采用了DDR SDRAM技术，能够在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，从而实现双倍数据速率。其256MB的存储容量和16位的数据总线宽度使其在数据密集型应用中表现出色。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不中断系统运行的情况下完成刷新操作，从而提高系统稳定性和数据完整性。
此外，L256M16DDR400B-E 具有较宽的工作温度范围（-40°C至+85°C），适合在各种工业和商业环境中使用。其电源电压范围为2.3V至3.6V，具有良好的电源适应性和抗干扰能力。该芯片还支持低功耗待机模式，在不使用时可有效降低功耗，延长设备的使用寿命。
封装方面，该芯片采用TSOP封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在空间受限的应用中使用。此外，其54引脚的设计使得在PCB上的布局更加灵活，有助于提高系统集成度。
L256M16DDR400B-E 可广泛应用于多种嵌入式系统和高性能计算设备中，如工业控制计算机、网络路由器、视频采集和处理设备、智能显示设备以及车载电子系统。由于其高速数据传输能力和较低的功耗特性，该芯片也适用于需要实时数据处理的场景，如监控摄像头、图像采集模块和边缘计算设备。
此外，该芯片还可用于通信基础设施设备，如基站控制器、无线接入点和工业通信网关，以提供稳定的数据缓存和处理能力。在消费类电子产品中，L256M16DDR400B-E 也可用于高清电视、多媒体播放器和智能家电，以提升系统的响应速度和数据吞吐能力。
IS42S16256A-6T、IS45S16256A-6T、IS42S16256B-6T
