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71V256SA10YG 发布时间 时间:2025/8/25 3:33:07 查看 阅读:12

71V256SA10YG 是由赛普拉斯半导体(Cypress Semiconductor,现为英飞凌Infineon旗下)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款器件属于高速异步SRAM系列,具有低功耗和高性能的特点,广泛用于网络设备、通信系统、工业控制、嵌入式系统等对速度和稳定性要求较高的应用场景。

参数

容量:256Kbit(32K x 8)
  电源电压:3.3V
  访问时间:10ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装尺寸:12mm x 20mm
  数据输入/输出方式:8位并行
  最大工作频率:约100MHz(依据访问时间)

特性

71V256SA10YG 的核心优势在于其高速访问时间和低功耗设计。其10ns的访问时间使其适用于高速缓存和实时系统中的关键数据存储。该芯片采用CMOS工艺制造,不仅提高了抗干扰能力,还降低了静态电流消耗,从而提高了系统的整体能效。此外,该SRAM具有宽温工作范围(-40°C至+85°C),适合在各种恶劣工业环境下稳定运行。TSOP封装设计有助于减少封装尺寸,提高PCB布局的灵活性,并增强散热性能。芯片的并行8位数据接口支持高速数据交换,适用于需要快速响应的嵌入式系统和数据处理应用。
  另一个关键特性是该SRAM的高可靠性和数据保持能力。在正常供电条件下,数据可以无限期保持,而在掉电情况下,数据会丢失,因此适用于临时存储需求。71V256SA10YG还具备良好的兼容性,能够与多种微处理器和控制器无缝连接,便于系统集成。此外,该芯片的控制信号设计简洁,支持片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)等标准SRAM控制逻辑,便于开发人员进行系统级设计和调试。

应用

71V256SA10YG SRAM芯片主要应用于需要高速数据存取的场景。常见的用途包括工业控制系统的高速缓存、通信设备中的数据缓冲、嵌入式系统的临时存储、网络交换设备的数据处理单元、测试仪器的中间数据存储以及图像处理模块的帧缓存等。此外,该芯片也可用于高速数据采集系统、实时控制系统、自动化设备以及需要快速响应的物联网设备中。由于其具备低功耗和高稳定性的特点,因此特别适合用于对功耗和可靠性有较高要求的工业和通信领域。

替代型号

IS61LV256AL10A, CY7C1041CV33, IDT71V016SA10Y, ISSI IS64LV256AL

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71V256SA10YG参数

  • 制造商IDT (Integrated Device Technology)
  • 存储容量256 Kbit
  • 组织32 K x 8
  • 访问时间10 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流100 mA
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOIC-28
  • 零件号别名IDT71V256SA10YG