2N7002K T/R 时间：2025/5/22 10:09:39 阅读：3

2N7002K T/R 是一种 N 沣道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要低电压、低功耗开关操作的电路中。它属于小型信号 MOSFET，适用于各种消费类电子产品、工业控制和通信设备中的开关和放大应用。
　　该器件采用 TO-92 封装形式，具有体积小、安装方便的特点，同时其卓越的电气性能使其成为许多设计中的理想选择。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　最大漏极电流：300mA
　　最大功耗：400mW
　　导通电阻：1.8Ω
　　输入电容：15pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

2N7002K T/R 具有以下主要特性：
　　1. 高开关速度：由于其较低的输入电容和栅极电荷，2N7002K T/R 可以实现快速的开关动作，适合高频应用。
　　2. 低导通电阻：在特定的工作条件下，导通电阻仅为 1.8Ω，有助于减少功率损耗并提高效率。
　　3. 小型封装：采用 TO-92 封装，便于表面贴装和手动焊接，适合紧凑型设计。
　　4. 宽工作温度范围：能够承受从 -55℃ 到 +150℃ 的极端温度条件，确保在恶劣环境下的可靠性。
　　5. 稳定性好：具备良好的电气特性和热稳定性，适用于长期运行的系统。

应用

2N7002K T/R 被广泛用于以下应用场景：
　　1. 开关电源：作为开关元件，控制电源电路中的电流流动。
　　2. 信号切换：用于音频、视频等信号的切换和隔离。
　　3. 保护电路：如过流保护、短路保护等功能模块中。
　　4. 工业控制：在 PLC 和其他自动化设备中用作信号或负载的控制元件。
　　5. 消费类电子：如遥控器、玩具、便携式设备等低功耗产品中的开关驱动元件。