时间：2025/6/17 9:25:45
阅读：3
NVTR4503NT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和高开关速度，非常适合于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等场景。
其封装形式通常为 SOT-23 小型表面贴装封装，有助于节省 PCB 空间并提高系统集成度。由于 NVTR4503NT 的优良性能，它成为许多低电压、小信号应用的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.7A
导通电阻：0.8Ω
栅极电荷：6nC
开关时间：典型值 10ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低功率损耗。
2. 高速开关性能，支持高频电路设计。
3. 小尺寸 SOT-23 封装，适合空间受限的应用。
4. 提供良好的热稳定性和可靠性，能够在宽温度范围内正常工作。
5. 栅极阈值电压较低，便于与逻辑电平兼容的控制器配合使用。
6. 具备出色的抗静电能力 (ESD)，确保更高的鲁棒性。
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和初级侧开关。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关元件。
3. 电池供电设备中的负载开关和保护电路。
4. 便携式电子设备中的电源管理和信号切换。
5. 电机驱动电路中的半桥或全桥配置。
6. 各种消费类电子产品中的小型化解决方案。
AO3400A, IRLML6402TRPBF, BSS138
