时间：2025/9/14 4:11:37
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BUK7M10-40E 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的高性能功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的TrenchMOS技术制造，具有低导通电阻和高功率密度，适用于各种电源管理和功率转换应用。BUK7M10-40E 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管，具有良好的热稳定性和高可靠性，广泛用于工业控制、电源供应器、DC-DC转换器和负载开关电路中。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：10A
漏极-源极击穿电压（Vds）：40V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大85mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
功耗（Ptot）：37W
阈值电压（Vgs(th)）：1.2V ~ 2.5V @ Id=250μA
BUK7M10-40E 功率MOSFET具有多项优异的电气和热性能，使其在高效率电源系统中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。在10V的栅极驱动电压下，最大Rds(on)仅为85mΩ，这意味着在额定电流下，导通压降和功率损耗都非常低。
该器件采用先进的TrenchMOS技术，提供了更高的单位面积电流承载能力，同时保持了良好的开关性能。其快速的开关速度有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流电路。
此外，BUK7M10-40E 具有宽泛的栅极电压耐受范围（±20V），增强了其在不同驱动电路中的兼容性。其阈值电压较低（1.2V ~ 2.5V），使得该MOSFET在低电压控制系统中也能可靠工作。
该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，能够在高功率条件下稳定运行。其最大功耗为37W，并支持高达175°C的工作温度，适合在严苛的工业环境中使用。
综合来看，BUK7M10-40E 在性能、可靠性和热管理方面都表现出色，是一款适用于多种功率电子应用的高效MOSFET解决方案。
BUK7M10-40E MOSFET适用于多种功率电子系统，尤其是在需要高效率和紧凑设计的场合。它常用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电源管理模块、工业自动化设备和电池供电系统。此外，该器件还可用于电机控制、LED驱动电源和各种电源转换装置中，提供高效、稳定的功率开关功能。
IRFZ44N, FDP6030L, Si4410DY, BUK9567-40B, IPD90N04S4-03
