时间：2025/9/13 22:12:24
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BUK6228-55C,118是一款由NXP Semiconductors（原恩智浦半导体）生产的功率MOSFET器件。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具备低导通电阻、高效率和优异的热性能。该MOSFET适用于各种高功率应用，如电源转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化设备等。BUK6228-55C,118采用D2PAK（TO-263）封装形式，支持表面贴装，便于散热和高电流承载能力。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：55V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：D2PAK（TO-263）
功率耗散（Ptot）：160W
BUK6228-55C,118具有多项优异的电气和热性能，使其成为高功率应用的理想选择。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为4.5mΩ，可在高电流下实现更低的导通损耗，从而提高系统效率。其次，该MOSFET采用先进的TrenchMOS技术，提供更高的电流密度和更小的芯片尺寸，有助于减小整体设计体积。
此外，该器件的连续漏极电流可达80A，适用于需要高电流处理能力的电源和电机控制应用。其栅极驱动电压范围为±20V，确保在各种驱动条件下具有良好的稳定性与可靠性。由于采用了D2PAK（TO-263）封装，该MOSFET具有良好的热管理能力，能够有效散热，避免因高温导致的性能下降或器件损坏。
在工作温度方面，BUK6228-55C,118支持-55°C至175°C的宽温范围，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。同时，其160W的功率耗散能力也进一步提升了其在高负载条件下的稳定性和耐用性。
BUK6228-55C,118广泛应用于多种高功率电子系统和设备中。例如，在电源管理领域，它可用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路，以提高能效并降低热量产生。在电机控制应用中，该MOSFET可作为H桥电路的主开关，用于驱动直流电机、步进电机或无刷电机，适用于机器人、自动化设备和电动工具等场景。
此外，该器件还适用于电池管理系统（BMS），如电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）中的电池充放电控制，以及储能系统中的功率开关。其高电流能力和优异的热稳定性使其在高负载条件下依然保持可靠运行。
在工业自动化和控制系统中，BUK6228-55C,118可用于PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和变频器等设备中的功率开关元件，提供高效的电能转换和控制功能。
STP80NF55-05, IRF1405, FDP80N55S, FQP80N55
