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H9DA4VH4JJMMCR-4EM 发布时间 时间:2025/9/2 9:11:18 查看 阅读:11

H9DA4VH4JJMMCR-4EM 是由SK Hynix(现为Solidigm)推出的一款高密度、高性能的DRAM芯片,属于其移动型DRAM(LPDDR4)产品线。这款芯片广泛应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他需要高速内存处理的设备中。H9DA4VH4JJMMCR-4EM 采用了先进的制造工艺,提供了较高的数据传输速率和较低的功耗,适合对性能和能效都有较高要求的应用场景。

参数

容量:4GB(32Gb)
  内存类型:LPDDR4 SDRAM
  封装类型:FBGA
  数据速率:4266 Mbps
  电压:1.1V(核心电压VDD), 1.8V(I/O电压VDDQ)
  接口:x16
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:128-ball FBGA(8mm x 10mm)
  兼容性:JEDEC标准兼容

特性

H9DA4VH4JJMMCR-4EM 具备多项先进的技术特性,以满足高性能移动设备的需求。首先,它支持高达4266 Mbps的数据传输速率,显著提升了内存带宽,有助于实现更快的系统响应速度和更高的图形处理能力。其次,该芯片采用了1.1V核心电压和1.8V I/O电压的设计,降低了功耗并提高了能效,非常适合电池供电设备。
  此外,H9DA4VH4JJMMCR-4EM 采用x16的接口设计,简化了PCB布局并减少了引脚数量,从而降低了设计复杂度和制造成本。其128-ball FBGA封装形式也具有良好的散热性能和稳定性,适用于高密度主板设计。
  为了增强系统的稳定性和可靠性,该DRAM芯片还支持多种自刷新和低功耗模式,包括深度掉电模式(Deep Power Down Mode)和自刷新模式(Self-Refresh Mode),在设备待机或低功耗状态下能够有效降低能耗。同时,它也支持温度补偿自刷新(TC-SRF)功能,以确保在高温环境下数据的完整性。

应用

H9DA4VH4JJMMCR-4EM 主要应用于需要高性能内存的移动设备和嵌入式系统。例如,它被广泛用于高端智能手机和平板电脑中,以支持多任务处理、高清视频播放、大型游戏等高负载应用场景。此外,该芯片也可用于智能电视、机顶盒、车载信息娱乐系统(IVI)以及高性能工业控制设备等需要大容量、高速内存的场合。
  由于其低功耗特性和紧凑的封装形式,H9DA4VH4JJMMCR-4EM 还非常适合用于对空间和功耗敏感的设计,例如可穿戴设备和便携式医疗设备。它的高性能与能效结合,使其成为现代移动计算平台的理想选择。

替代型号

H9HKNNNCTUMDAR-4DM, H9HA4H8CTUMDAR-4DM, H9HP5320D0MMDAR-4DM

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