时间：2025/7/23 14:36:25
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BUB941ZTT4 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电流和高功率应用。该器件采用先进的Trench沟槽工艺，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于电源转换、电机控制、负载开关等应用。BUB941ZTT4采用表面贴装的DPAK（TO-252）封装，适合自动化装配流程。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：170A
导通电阻（Rds(on)）：2.75mΩ @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ @ Vgs=4.5V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：DPAK (TO-252)
功率耗散（Pd）：200W
输入电容（Ciss）：约7800pF @ Vds=25V
短路耐受能力：有
BUB941ZTT4 具备多项优异的电气和热性能，适用于高功率密度设计。其核心特性之一是极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时仅为2.75mΩ，大幅降低了导通损耗，提高了能效。同时，该器件在Vgs=4.5V时的Rds(on)也控制在3.5mΩ以内，使其兼容低电压栅极驱动电路。
该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，提升了电流承载能力和热稳定性。其最大连续漏极电流可达170A，适用于高功率开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动和负载开关等。
此外，BUB941ZTT4的漏源耐压为60V，栅源电压范围为±20V，具备良好的过压耐受能力。其DPAK封装设计有助于提高散热效率，适用于高功率环境下的持续运行。器件的工作温度范围宽达-55°C至+175°C，可在恶劣环境中稳定工作。
输入电容约为7800pF（在Vds=25V时），这有助于减少高频开关过程中的驱动损耗，提升整体系统效率。该器件还具备一定的短路耐受能力，在异常工作条件下提供更强的稳定性和可靠性。
BUB941ZTT4 广泛应用于需要高电流和高效能的电源管理系统。其主要应用场景包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机控制器、负载开关、服务器电源、工业自动化设备以及汽车电子中的功率控制模块。
在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为主开关器件，利用其低导通电阻和高电流能力，提高转换效率并减少发热。在同步整流电路中，BUB941ZTT4可有效降低二次侧损耗，提升电源的整体能效。
在电机控制应用中，如无刷直流电机驱动或H桥电路，该器件能够承受大电流和频繁的开关操作，提供稳定的性能。作为负载开关，BUB941ZTT4可用于控制高功率负载的通断，例如LED照明、加热元件或风扇等。
此外，该器件在服务器和通信设备的电源系统中也具有广泛应用，能够满足高密度电源设计对效率和散热的严苛要求。在汽车电子领域，BUB941ZTT4可用于车身控制模块、车载充电系统和电动工具等应用场景。
SiR142DP, FDS6680, BSC050N06NS5, IPP045N03L G, NVTFS5C471NLWTAG
