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AUIRF7207QTR 发布时间 时间:2025/5/20 19:40:50 查看 阅读:6

AUIRF7207QTR 是一款由 Vishay 公司生产的汽车级 N 沟道 MOSFET。该器件专为高可靠性应用设计,采用 PQFN 封装形式。其低导通电阻和高开关速度特性使其非常适合于汽车电子系统中的负载切换、DC-DC 转换器和电机驱动等应用场景。
  该 MOSFET 在设计上注重了电气性能的优化和封装的散热能力提升,能够承受恶劣的工作环境,符合 AEC-Q101 标准,确保在汽车领域的长期稳定运行。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:39A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷(典型值):10nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:PQFN (5x6mm)
  结温:175℃

特性

AUIRF7207QTR 的主要特性包括出色的电气性能和高可靠性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高额定电流能力,支持大功率应用需求。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗并改善动态性能。
  4. 符合汽车行业的 AEC-Q101 标准,能够在极端温度条件下稳定运行。
  5. 小型化 PQFN 封装,具有良好的散热性能,适合空间受限的设计。
  6. 内置防潮保护功能,增强芯片在湿热环境下的耐用性。

应用

AUIRF7207QTR 广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子中的 DC-DC 转换器和逆变器。
  2. 电动座椅、电动车窗以及雨刷等电机驱动电路。
  3. 车载充电器和电池管理系统。
  4. LED 照明驱动和电源管理模块。
  5. 各种需要高频开关和高效功率传输的场景。
  这款 MOSFET 凭借其优越的性能,特别适用于对可靠性和效率要求较高的汽车应用。

替代型号

IRL7207PbF, IXTA78N06P4L

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AUIRF7207QTR参数

  • 制造商International Rectifier
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压- 20 V
  • 闸/源击穿电压12 V
  • 漏极连续电流- 5.4 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)60 mOhms
  • 配置Single Quad Drain Triple Source
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOIC-8
  • 封装Reel
  • 栅极电荷 Qg15 nC
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2.5 W
  • 工厂包装数量4000
  • 典型关闭延迟时间43 ns